[发明专利]导体化工艺监控方法及阵列基板的制作方法有效
| 申请号： | 201910091770.4 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109904088B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡振飞 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导体 化工 监控 方法 阵列 制作方法 | ||
1.一种导体化工艺监控方法，其特征在于，包括：
步骤S10：提供基板，所述基板包括多个测试单元，所述测试单元包括沟道部分以及设置于所述沟道部分两侧的预设的导体化部分，多个所述测试单元的所述沟道部分的宽度逐渐减小；
步骤S20：在所述基板上形成电阻测试组件；
步骤S30：对多个所述测试单元中预设的所述导体化部分进行导体化处理，测量各个所述测试单元的电阻值，并将测量所得的各个所述测试单元的所述电阻值与预设电阻值范围进行比较；当测得所述测试单元的电阻值小于预设电阻值范围时，判定所述测试单元的沟道部分被完全导体化，当前的导体化工艺参数失败。
2.如权利要求1所述的导体化工艺监控方法，其特征在于，所述电阻测试组件包括多个测试焊盘，所述测试焊盘设置于所述沟道部分的所述两侧。
3.如权利要求1所述的导体化工艺监控方法，其特征在于，所述沟道部分的材料为铟镓锌氧化物。
4.如权利要求1所述的导体化工艺监控方法，其特征在于，在对所述测试单元测量所述电阻值之前，还包括：设定所述测试单元的所述预设电阻值范围。
5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
步骤S10：提供基板，所述基板包括多个测试单元，所述测试单元包括沟道部分以及设置于所述沟道部分两侧的预设的导体化部分，多个所述测试单元的所述沟道部分的宽度逐渐减小；
步骤S20：在所述基板上形成电阻测试组件；
步骤S30：对多个所述测试单元中预设的所述导体化部分进行导体化处理，测量各个所述测试单元的电阻值与预设电阻值范围进行比较；当测得所述测试单元的电阻值小于预设电阻值范围时，判定所述测试单元的沟道部分被完全导体化，当前的导体化工艺参数失败；
其中，所述基板还包括金属屏蔽层以及缓冲层。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在对所述测试单元测量所述电阻值之前，还包括：设定所述测试单元的所述预设电阻值范围。
7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述沟道部分以及所述导体化部分的材料为铟镓锌氧化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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