[发明专利]一种具有深沟槽的脊型GaAs基激光器的P面金属制备方法

权利要求书

1.一种具有深沟槽的脊型GaAs基激光器的P面金属制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)制备外延片（1），外延片自下至上依次包括衬底、N限制层、量子阱有源区、AlGaInP层和GaAs层，在AlGaInP层和GaAs层上腐蚀出脊型发光区，脊型发光区两侧形成脊型沟槽（2）；

b)在脊型发光区以外的外延片（1）的表面利用PECVD设备和光刻工艺制备一层二氧化硅钝化膜（3）；

c)在二氧化硅钝化膜（3）上旋涂一层负性光刻胶，利用光刻、显影工艺制备出P电极图形；

d)在二氧化硅钝化膜（3）上的P电极图形的区域生长金属层（6），所述金属层（6）自下而上依次为金属Ti构成的Ti层、金属Pt构成的Pt层以及金属Au构成的Au层；

e)将外延片（1）放到Au腐蚀液中进行腐蚀，使金属层（6）中的Au层的表面变粗糙，金属层（6）粗化后将外延片从腐蚀液中取出并清洗处理；

f)在粗化后的Au层上以生长速率Ⅰ生长金属Au构成的第一Au层，在第一Au层上以生长速率Ⅱ生长金属Au构成的第二Au层，在第二Au层上以生长速率Ⅲ生长金属Au构成的第三Au层，在第三Au层上以生长速率Ⅳ生长金属Au构成的第四Au层，第一Au层、第二Au层、第三Au层以及第四Au层构成Au导电层（7），生长速率Ⅰ小于生长速率Ⅱ，生长速率Ⅱ小于生长速率Ⅲ，生长速率Ⅲ小于生长速率Ⅳ；

g)将外延片（1）放入丙酮溶液中去掉金属层（6）下方的负性光刻胶；

h)将外延片（1）减薄、N面电极蒸镀、合金、封装，制成GaAs基激光器。

2.根据权利要求1所述的具有深沟槽的脊型GaAs基激光器的P面金属制备方法，其特征在于：步骤a)中脊型沟槽（2）的深度大于2μm且小于8μm。

3.根据权利要求1所述的具有深沟槽的脊型GaAs基激光器的P面金属制备方法，其特征在于：步骤b)中二氧化硅钝化膜（3）的厚度为1000-2000埃。

4.根据权利要求1所述的具有深沟槽的脊型GaAs基激光器的P面金属制备方法，其特征在于：步骤c)中负性光刻胶的厚度为25000-35000埃。

5.根据权利要求1所述的具有深沟槽的脊型GaAs基激光器的P面金属制备方法，其特征在于：步骤d)中金属层（6）的生长速率为1Å/S。

6.根据权利要求1所述的具有深沟槽的脊型GaAs基激光器的P面金属制备方法，其特征在于：步骤d)中金属层（6）中的Ti层的厚度为400埃， Pt层的厚度为400埃，Au层的厚度为600埃。

7.根据权利要求1所述的具有深沟槽的脊型GaAs基激光器的P面金属制备方法，其特征在于：步骤e)中腐蚀时间为25-50s。

8.根据权利要求1所述的具有深沟槽的脊型GaAs基激光器的P面金属制备方法，其特征在于：步骤f)中第一Au层的厚度为500埃，第二Au层的厚度为500埃，第三Au层的厚度为500埃。

9.根据权利要求1所述的具有深沟槽的脊型GaAs基激光器的P面金属制备方法，其特征在于：步骤f)中生长速率Ⅰ为1Å/S，生长速率Ⅱ为2Å/S，生长速率Ⅲ为4Å/S，生长速率Ⅳ为10Å/S。