[发明专利]钐钴磁体及其制造方法

权利要求书

1.一种钐钴磁体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

将合金粉末与锆粉混合形成混合物，然后经过后处理得到所述钐钴磁体；

其中，基于合金粉末的总重量，所述合金粉末由如下原料形成：

以上原料的重量百分比之和为100wt％；

其中，锆粉为合金粉末重量的0.1～0.35wt％；

其中，所述后处理包括磁场成型步骤、等静压步骤、烧结固溶步骤和时效处理步骤。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，基于合金粉末的总重量，所述合金粉末由如下原料形成：

以上原料的重量百分比之和为100wt％。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，基于合金粉末的总重量，所述合金粉末由如下原料形成：

以上原料的重量百分比之和为100wt％。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，锆粉为合金粉末重量的0.1～0.2wt％。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述合金粉末的平均粒径为3～5μm，且所述锆粉的平均粒径为1～10μm。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，基于合金粉末的总重量，所述合金粉末由如下原料形成：

7.根据权利要求1～6任一项所述的制造方法，其特征在于：

磁场成型步骤：将混合物在磁场压机中取向成型，获得密度为3.8～4.5g/cm³的坯体；

等静压步骤：将所述坯体用塑料袋包裹，抽真空，然后在等静压设备中进行冷等静压，在15～24MPa下压制10～30s，得到密度为4.8～5.4g/cm³的生坯。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于：

烧结固溶步骤：将所述生坯置于真空烧结炉内，抽真空至真空度≤0.2Pa，逐渐升温，并在1210～1230℃烧结0.5～1h，然后冷却至1200～1180℃，固溶处理2～6h，并快速风冷至20～30℃；

时效处理步骤：升温至800～850℃，保温10～20h，以0.5～0.8℃/min冷却至350～450℃，保温4～10h，并风冷至20～30℃，得到所述钐钴磁体。

9.一种钐钴磁体，其特征在于，其通过权利要求1～8任一项所述的制造方法获得，所述的钐钴磁体在20～200℃的剩磁温度系数为正数，在150℃的剩磁在7.8KGs以上，且在150℃的矫顽力为20KOe以上。

10.根据权利要求9所述的钐钴磁体，其特征在于，在200℃的剩磁在8.2KGs以上，在200℃的矫顽力为17KOe以上。