[发明专利]晶圆测厚装置及晶圆测厚系统

说明书

本发明提供了一种晶圆测厚装置及晶圆测厚系统，涉及电子测量设备技术领域，以缓解现有技术中存在的晶圆良品率较低的技术问题。该晶圆测厚装置包括底板、测量机构和回转机构；测量机构包括支撑架、安装座和测距传感器；支撑架设置于底板；安装座连接于支撑架的远离底板的一端，且安装座开设测量槽口；两个测距传感器连接于安装座，且相向伸入测量槽口；回转机构连接于底板，回转机构能够转动，且旋转轴线垂直于测量槽口的内壁；回转机构的前端面所在平面位于测量槽口的两个内壁所在两个平面之间。本发明提供的技术方案提高了晶圆良品率。

技术领域

本发明涉及电子测量设备技术领域，尤其是涉及一种晶圆测厚装置及晶圆测厚系统。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。在晶圆加工工艺中，晶圆通常要经过研磨抛光才能进入刻蚀，化学沉积，电镀等工艺。这对晶圆厚度的精确控制提出了更高的要求。

传统研磨晶圆机，虽然具备测量装置，但是大多数为接触式测量，由于测量力的存在，测量过程中难免会划伤晶圆表面，同时，每次测量只能测量晶圆一个位置的厚度，若要测量多个位置的厚度，需要测量装置多次与晶圆接触，晶圆被划伤的可能性加大，导致晶圆的良品率较低。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成本领域技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆测厚装置及晶圆测厚系统，以缓解现有技术中存在的晶圆良品率较低的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供以下技术方案：

一种晶圆测厚装置，包括底板、测量机构和回转机构；

所述测量机构包括支撑架、安装座和测距传感器；所述支撑架设置于所述底板；所述安装座连接于所述支撑架的远离所述底板的一端，且所述安装座开设测量槽口；两个所述测距传感器连接于所述安装座，且相向伸入所述测量槽口；

所述回转机构连接于所述底板，所述回转机构能够转动，且旋转轴线垂直于所述测量槽口的内壁；所述回转机构的前端面所在平面位于所述测量槽口的两个内壁所在两个平面之间。

进一步地，所述回转机构包括回转摆台、真空吸盘、回转接头和导气管；

所述回转摆台连接于所述底板；

所述真空吸盘连接于所述回转摆台的法兰，所述真空吸盘的前端开设有通气孔；

所述回转接头安装于所述回转摆台和所述真空吸盘内，通过所述通气孔与外界连通；

所述导气管的一端与所述回转接头连通。

进一步地，所述真空吸盘的前端面开设通气沟槽，所述通气沟槽与所述通气孔连通。

进一步地，所述安装座开设两个相向的安装孔，所述安装孔与所述测量槽口连通，用于安装所述测距传感器；

所述安装座开设两个锁紧槽口，两个所述锁紧槽口与两个所述安装孔一一对应连通。

进一步地，还包括直线运动机构，所述直线运动机构设置于所述底板；

所述回转机构安装于所述直线运动机构，所述直线运动机构能够带动所述回转机构运动。

进一步地，所述直线运动机构包括直线滑台和安装板；

所述直线滑台设置于所述底板；

所述安装板安装于所述直线滑台，并与所述回转机构连接，用于带动所述回转机构运动。

进一步地，所述安装板开设容纳槽；所述容纳槽用于容纳所述导气管。