[发明专利]晶圆测厚装置及晶圆测厚系统有效
申请号: | 201910077439.7 | 申请日: | 2019-01-25 |
公开(公告)号: | CN109817539B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 王勇威;范文斌;周立庆;李家明;温涛 | 申请(专利权)人: | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 赵志远 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆测厚 装置 系统 | ||
1.一种晶圆测厚装置,其特征在于,包括底板、测量机构和回转机构;
所述测量机构包括支撑架、安装座和测距传感器;所述支撑架设置于所述底板;所述安装座连接于所述支撑架的远离所述底板的一端,且所述安装座开设测量槽口;两个所述测距传感器连接于所述安装座,且相向伸入所述测量槽口;
所述回转机构连接于所述底板,所述回转机构能够转动,且旋转轴线垂直于所述测量槽口的内壁;所述回转机构的前端面所在平面位于所述测量槽口的两个内壁所在两个平面之间;
所述回转机构包括回转摆台、真空吸盘、回转接头和导气管;
所述回转摆台连接于所述底板;
所述真空吸盘连接于所述回转摆台的法兰,所述真空吸盘的前端开设有通气孔;
所述回转接头安装于所述回转摆台和所述真空吸盘内,通过所述通气孔与外界连通;
所述导气管的一端与所述回转接头连通。
2.根据权利要求1所述的晶圆测厚装置,其特征在于,所述真空吸盘的前端面开设通气沟槽,所述通气沟槽与所述通气孔连通。
3.根据权利要求1所述的晶圆测厚装置,其特征在于,所述安装座开设两个相向的安装孔,所述安装孔与所述测量槽口连通,用于安装所述测距传感器;
所述安装座开设两个锁紧槽口,两个所述锁紧槽口与两个所述安装孔一一对应连通。
4.根据权利要求1所述的晶圆测厚装置,其特征在于,还包括直线运动机构,所述直线运动机构设置于所述底板;
所述回转机构安装于所述直线运动机构,所述直线运动机构能够带动所述回转机构运动。
5.根据权利要求4所述的晶圆测厚装置,其特征在于,所述直线运动机构包括直线滑台和安装板;
所述直线滑台设置于所述底板;
所述安装板安装于所述直线滑台,并与所述回转机构连接,用于带动所述回转机构运动。
6.根据权利要求5所述的晶圆测厚装置,其特征在于,所述安装板开设容纳槽;所述容纳槽用于容纳所述导气管。
7.根据权利要求5所述的晶圆测厚装置,其特征在于,所述直线运动机构还包括拖链;所述拖链的一端连接于所述底板,另一端连接于所述安装板,用于容纳所述导气管和电线。
8.根据权利要求4所述的晶圆测厚装置,其特征在于,还包括防护罩;所述防护罩连接于所述底板,与底板形成工作腔,并且所述防护罩的侧面开设有进出孔;
所述测量机构、所述回转机构和所述直线运动机构均位于所述工作腔。
9.一种晶圆测厚系统,其特征在于,包括晶圆和如权利要求1-8任一项所述的晶圆测厚装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造