[发明专利]一种表面金属修饰氧氮化改性硅负极材料结构在审
| 申请号： | 201910073219.7 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN109755536A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 岳之浩;周浪;尹传强;黄海宾 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 南昌朗科知识产权代理事务所(普通合伙) 36134 | 代理人： | 郭显文 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化硅层 氮化硅层 金属颗粒 硅负极材料 硅颗粒 循环稳定性 倍率性能 表面金属 氧氮化 改性 修饰 首次库伦效率 首次库仑效率 锂离子电池 化学键 表面附着 电子传输 结构形成 比容量 弹性钉 硅表面 硅材料 碳氢氧 粘结剂 膨胀 阻挡 传输 贯穿 | ||
【权利要求书】：
1.一种表面金属修饰氧氮化改性硅负极材料结构，其特征是硅颗粒表面由内而外依次为氮化硅层和氧化硅层，同时硅颗粒表面附着有大量金属颗粒且贯穿氧化硅层和氮化硅层，金属颗粒一端与硅颗粒接触，一端突出在氧化硅层之外。
2.根据权利要求1所述的一种表面金属修饰氧氮化改性硅负极材料结构，其特征是所述的氧化硅层的厚度为1-5 nm。
3.根据权利要求1所述的一种表面金属修饰氧氮化改性硅负极材料结构，其特征是所述的氮化硅层的厚度为1-10 nm。
4.根据权利要求1所述的一种表面金属修饰氧氮化改性硅负极材料结构，其特征是所述的氧化硅层为晶态或非晶态。
5.根据权利要求1所述的一种表面金属修饰氧氮化改性硅负极材料结构，其特征是所述的氮化硅层为晶态或非晶态。
6.根据权利要求1所述的一种表面金属修饰氧氮化改性硅负极材料结构，其特征是所述的金属颗粒为铂、金、银、铜等颗粒。
7.根据权利要求1所述的一种表面金属修饰氧氮化改性硅负极材料结构，其特征是所述的金属颗粒尺寸大于氧化硅层和氮化硅层的厚度之和。
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