[发明专利]一种引线框架去氧化剂、其制备方法和应用

说明书

本发明公开了一种引线框架去氧化剂、其制备方法和应用。该去氧化剂包含下列质量分数的组分：30％‑50％有机酸、0.1％‑5％缓蚀剂、0.1％‑1％活化剂、0.1％‑5％抗氧化剂、2％‑4％光亮剂、0.1％‑1％阴离子表面活性剂、0.1％‑1％聚乙烯吡咯烷酮和水，各组分质量分数之和为100％；所述聚乙烯吡咯烷酮的K值为30。本发明的去氧化剂温和无毒、环保性好，且同时适用于铜基材和铁镍基的引线框架的去氧化，去氧化后基材表面光洁平整有抛光效果，金属光泽较强。

技术领域

本发明涉及一种引线框架去氧化剂、其制备方法和应用。

背景技术

在欧盟的ROHS和WEEE指令的大背景下,引线脚的纯锡电镀大范围推广,但纯锡镀层变色问题却开始困扰大家。锡镀层变色与其前处理工艺关系很大，如果前处理工艺效果不好，将会直接带来镀锡层粗糙、孔隙率高及随之而来的变色问题。目前引线框架基材常用的有铜基和铁镍基。为降低成本，这两种基材一般都含有其他金属杂质或合金材质，仅在最上层镀覆0.5-2μm厚的较纯的金属薄层。该薄层极易氧化变质，氧化变质会大大降低基材和后续锡镀层的结合力，增加锡镀层的粗糙度和空隙及随之而来的变色问题。因此镀锡前需要对引线框架进行去氧化的前处理。

传统的去氧化剂中通常采用无机强酸配方，如浓硝酸和/或硫酸以及铬酸盐。现有的无机强酸去氧化剂主要为了清洗基材表面的氧化层，而对去除之和基材样品表面情况和粗糙度无特殊要求。其酸性和溶解性较强，用于对引线框架基材表面，极易造成过腐蚀，从而影响后续锡镀层的质量，无法满足实际操作需求。并且，现有的去氧化剂成分复杂，除了含有多种无机强酸外，还含有多种其它化学物质作为选用成分，如氟化物或铬酸盐等。近年来，环保方面要求避免使用铬酸盐和铁氰化物的使用。此外，目前市场上的去氧化剂往往只能适用于去除一种金属的氧化层，缺乏铜和铁镍可以共用的去氧化剂。所以，在半导体制造过程中，使用目前市场上的去氧化剂，不仅增加了去氧化剂的使用成本，还不满足环保和绿色化学的要求。

因此需要开发一种去氧化剂来解决这些问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是为了克服目前市场上缺乏铜基材和铁镍基的引线框架可以共用的去氧化剂，且目前市场上的去氧化剂多采用无机强酸配方，毒性大，环保性差等问题，进而提供了一种引线框架去氧化剂、其制备方法和应用。本发明的引线框架去氧化剂温和无毒、环保性好，且同时适用于铜基材和铁镍基的引线框架的去氧化剂。

本发明提供了一种去氧化剂，包含下列质量分数的组分：30％-50％有机酸、0.1％-5％缓蚀剂、0.1％-1％活化剂、0.1％-5％抗氧化剂、2％-4％光亮剂、0.1％-1％阴离子表面活性剂、0.1％-1％聚乙烯吡咯烷酮和水，各组分质量分数之和为100％；所述聚乙烯吡咯烷酮的K值为30。

所述的有机酸的质量份数优选35％-45％，更优选37％-40％。所述缓蚀剂的质量分数优选1％-3％，更优选2％-2.5％。所述活化剂的质量分数优选0.3％-0.7％，更优选0.4％-0.5％。所述抗氧化剂的质量分数优选1％-3％，更优选2％-2.5％。所述光亮剂的质量分数优选2.5％-3.5％，更优选3％-3.2％。所述阴离子表面活性剂的质量分数优选0.2％-0.8％，更优选0.5％-0.7％。所述聚乙烯吡咯烷酮的质量分数优选0.4％-0.9％，更优选0.6％-0.8％。

其中，所述有机酸可为本领域常规的有机酸，优选柠檬酸。

其中，所述缓蚀剂可为本领域常规的缓蚀剂，优选邻苯二酚和/或邻苯三酚。

其中，所述活化剂可为本领域常规的活化剂，优选亚硝酸钠和/或次氯酸钠。

其中，所述抗氧化剂可为本领域常规的抗氧化剂，优选抗坏血酸、2,6-二叔丁基苯酚、N,N’-二仲丁基对苯二胺、2,6-二叔丁基对甲酚和2，4-二甲基-6-叔丁基苯酚中的一种或多种。