[发明专利]一种引线框架去氧化剂、其制备方法和应用有效
申请号: | 201910071706.X | 申请日: | 2019-01-25 |
公开(公告)号: | CN111485263B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 王溯;蒋闯 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | C25D5/34 | 分类号: | C25D5/34;C25D7/00 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;王卫彬 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 引线 框架 氧化剂 制备 方法 应用 | ||
1.一种去氧化剂,其特征在于,其由下列质量分数的组分组成:30%-50%有机酸、0.1%-5%缓蚀剂、0.1%-1%活化剂、0.1%-5%抗氧化剂、2%-4%光亮剂、0.1%-1%阴离子表面活性剂、0.1%-1%聚乙烯吡咯烷酮和水,各组分质量分数之和为100%;所述聚乙烯吡咯烷酮的K值为30;
所述有机酸为柠檬酸;
所述缓蚀剂为邻苯二酚和/或邻苯三酚;
所述活化剂为亚硝酸钠和/或次氯酸钠;
所述抗氧化剂为抗坏血酸、2,6-二叔丁基苯酚、N,N’-二仲丁基对苯二胺、2,6-二叔丁基对甲酚和2,4-二甲基-6-叔丁基苯酚中的一种或多种;
所述光亮剂为烷基酚聚氧乙烯醚-10、苯乙基酚聚氧乙烯醚、二苯乙基联苯酚聚氧乙烯醚、异十三醇聚氧乙烯醚和月桂醇聚氧乙烯醚中的一种或多种;
所述阴离子表面活性剂为十二烷基磺酸钠;
所述水为离子水、蒸馏水、纯水和超纯水中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的去氧化剂,其特征在于,
所述的有机酸的质量份数为35%-45%;
和/或,所述缓蚀剂的质量分数为1%-3%;
和/或,所述活化剂的质量分数为0.3%-0.7%;
和/或,所述抗氧化剂的质量分数为1%-3%;
和/或,所述光亮剂的质量分数为2.5%-3.5%;
和/或,所述阴离子表面活性剂的质量分数为0.2%-0.8%;
和/或,所述聚乙烯吡咯烷酮的质量分数为0.4%-0.9%。
3.如权利要求2所述的去氧化剂,其特征在于,
所述的有机酸的质量份数为37%-40%;
和/或,所述缓蚀剂的质量分数为2%-2.5%;
和/或,所述活化剂的质量分数为0.4%-0.5%;
和/或,所述抗氧化剂的质量分数为2%-2.5%;
和/或,所述光亮剂的质量分数为3%-3.2%;
和/或,所述阴离子表面活性剂的质量分数为0.5%-0.7%;
和/或,所述聚乙烯吡咯烷酮的质量分数为0.6%-0.8%。
4.一种如权利要求1-3任一项所述的去氧化剂的制备方法,其特征在于,其包括如下步骤:将所述各组分混合均匀,即可。
5.一种如权利要求1-3任一项所述的去氧化剂在去除铜基材和铁镍基的引线框架氧化层的应用。
6.如权利要求5所述的应用,其特征在于,所述的应用包括下列步骤:将铜基材和铁镍基的引线框架浸泡在所述的去氧化剂中,然后水清洗后氮气吹干。
7.如权利要求6所述的应用,其特征在于,所述的步骤中所述的浸泡的温度为室温。
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