[发明专利]一种铜复合丝的制备方法有效
申请号: | 201910071521.9 | 申请日: | 2019-01-25 |
公开(公告)号: | CN109755138B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 李和平;张益彬 | 申请(专利权)人: | 常宁市隆源铜业有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/49;C21D9/52;C22F1/08;C23C26/00;C25D3/50;C25D7/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 421500 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合 制备 方法 | ||
本发明公开了一种铜复合丝的制备方法,该方法以纯度为97%以上的铜为原料通过两段熔炼配合微波磁力搅拌进行提纯,然后制成铜杆坯料,并将制得的铜杆坯料进行两次三次拉拔,并在第一次拉拔后通过保护液进行旋涂,在第二次拉拔后电镀纯钯,在第三次拉拔并进行退火处理后清洗即得成品。本发明导电性能强、耐腐蚀性能好、抗锈能力佳,并且韧度高,具有较好的抗拉强度,便于进行连续化的工业生产。
技术领域
本发明涉及铜丝的制备技术领域,具体涉及一种铜复合丝的制备方法。
背景技术
键合铜丝作为半导体器件芯片与外部电路主要的连接材料,且造价低,机械性能高,适合细小线径和间距,具有良好的力学性能、电学性能和第二焊点稳定性,可广泛替代键合金丝应用于微电子工业中。随着IC封装合金工艺技术及设备的改进,铜丝应用从低端产品如DIP、SOP向中高端QFP、QFN、多层线、小间距焊盘产品领域扩展;而随着封装工艺进步和使用领域的扩展,市场对键合铜丝的性能要求逐步提高,促进了铜丝生产商对铜丝工艺性能向趋近于金丝工艺性能方向发展。
键合铜丝的键合工艺成熟,代替了传统的铜丝在生产和加工中存在一定的缺陷如:成球性差,球型比较硬,不利于铜丝键合,第二焊点极容易氧化,不易进行连续焊接以及产品寿命短等缺点。但现有的键合铜丝大多数通过将铜丝制作为成品后,由于铜线本身容易氧化,再加上合金工艺不成熟等原因,需要在其表面涂有一层防氧化涂层的方式达到防氧化的效果,提高铜丝的防氧化性能。其防氧化层大都是直接喷涂在铜丝表面,长期使用造成磨损,导致防氧化层脱落,铜丝芯暴露在空气外部,使得键合铜丝的防氧化性能变差,使用时容易被氧化性物体氧化,导致键合铜丝的使用寿命降低。因而开发出一种新型合金铜丝以增强其抗氧化性,从而促进合金铜丝在集成电路中的大规模应用就显得尤为重要。
发明内容
本发明所解决的技术问题在于提供一种铜复合丝的制备方法,解决了现有键合铜丝长期使用后有磨损,导致防护层脱落,防氧化和防酸化性能变差的缺陷,从而解决了传统工艺条件下键合铜丝的使用寿命降低的问题。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
一种铜复合丝的制备方法,包括以下操作步骤:
S1:将纯度为97%以上的原料铜投入真空炉中,在1200~1350℃的条件下真空熔融,待固体原料完全熔融后进行精炼,然后向真空炉内融入惰性气体,并继续升温到1450~1550℃进行微波磁力搅拌,保持70~90min。
S2:取熔融后的铜液放入铜丝制作模具内部,用牵引机组离合式真空上引得到直径为15~20mm的铜杆坯料,并将上述铜杆坯料连续挤压形成铜母线,并将铜母线进行拉拔后得到直径为450~600μm的粗铜丝,然后将粗铜丝进行退火处理。
S3:按硅微粉4~6质量份、二氧化硅3~4质量份、聚二醇1~2质量份、0.0005wt%的纳米级高纯镍粉0.5~0.8质量份加入真空炉中,加热至750℃~900℃,保持并在300~900rad/min的转速条件下搅拌30~50min,然后降温至500~600℃,保持20~30min。
S4:用旋涂法将S3步骤制备的混合溶液涂覆在S2步骤条件下制备的粗铜丝表面。
S5:将在步骤S4的条件下涂覆完成的粗铜丝进行第二次拉拔,将粗铜丝成直径为100~150μm的半精铜丝,然后将半精铜丝进行退火处理。
S6:取步骤S5中制得的半精铜丝进行纯钯电镀,电镀的纯钯为3.0~3.5wt%的纯钯,纯度要求大于99.99%。
S7:将步骤S6制得的半精铜丝进行第三次拉拔,将半精铜丝拉拔成直径80μm以下的精铜丝,然后将精铜丝进行退火处理,处理后清洗即得成品。
在本发明中,所述步骤S1中精炼时间为20~25min,以将铜原料精炼至纯度99.96%以上为准。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常宁市隆源铜业有限公司,未经常宁市隆源铜业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910071521.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造