[发明专利]一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法

说明书

本发明公开一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法，本方法通过对NAND Flash存储器进行浅擦除测试获取NAND Flash存储器的浅擦除效应（Shallow Erase）与闪存块（Block）中被使用过的字线（Wordline）之间的关系。基于该方法测试的结果，NAND Flash存储器的使用者可以采取不同的应对方案，从而规避浅擦除效应（Shallow Erase）的影响。

技术领域

本发明涉及一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法，属于存储器技术领域。

背景技术

NAND Flash存储器是Flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大，体积小、读写速度快、掉电数据不丢失等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。

NAND Flash存储器有若干个块（Block）组成，每个块（Block）包含若干个字线（Wordline），每个字线（Wordline）包含若干个页（Page）。在向NAND Flash存储器中写入数据之前，需要先对块（Block）执行擦除（Erase）操作，之后将数据存入字线（Wordline）的闪存页（Page）中。当用户需要获取数据时，可以从页（Page）中读取数据。由于硬件电气特性的影响，当读取存储在NAND Flash存储器中的数据时，部分数据位会发生反转。

对一个块（Block）进行擦除操作时，如果该块（Block）只有一部分字线（Wordline）被写入过数据，其余的字线（Wordline）未被使用，那么向该块（Block）写入新数据之后，用户进行读取操作时数据位反转的概率会增大，即数据出错的概率会增大，这种现象称为浅擦除效应（Shallow Erase）。

传统的技术方案中，为了规避浅擦除效应（Shallow Erase）的影响，通常会在每次擦除（Erase）之前对NAND Flash存储器块（Block）中没有被使用的字线（Wordline）全部使用无效数据进行填充，这种方法会引入大量冗余的写操作，降低用户对NAND Flash存储器的访问效率。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法，获取NAND Flash存储器的浅擦除效应（Shallow Erase）与闪存块（Block）中被使用过的字线（Wordline）之间的关系。基于该方法测试的结果，NAND Flash存储器的使用者可以采取不同的应对方案，从而规避浅擦除效应（Shallow Erase）的影响。

为了解决所述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法，包括以下步骤：S01）、选定磨损次数X、数据保存时间Y、数据读干扰次数Z；S02）、选定两组NAND Flash存储器块，第一组用于浅擦除测试，第二组用于正常擦除测试；S03）、确定NAND Flash存储器块包含的字线总数及用于浅擦除测试的字线数V，V＜U，本步骤中，令V=1；S04）、将两组块磨损X次，将第一组中每个块的前V个字线写入数据，将第二组块中每个块的U个字线全部写入数据；S05）、对第一组、第二组所有的块进行擦除；S06）、将第一组、第二组所有块的U个字线全部写入数据；S07）、将两组测试样本放置Y小时；S08）、对两组测试样本的每个块执行Z次读干扰；S09）、读取两组块中的数据，记录数据的出错位数；S10）、令V的值加1；S11）、重复步骤S04至S10，直到V=U；S12）、统计测试数据，分析浅擦除效应与被使用的子线数据V的关系，得出V_opt，该值表示当NAND Flash存储器块中有至少V_opt个字线被写入数据时，浅擦除效应的影响可以被忽略。

进一步的，如果在擦除之前发现某个块中写入数据的字线小于V_opt，则将一些无效数据写入该块，使其写入数据的字线数量达到V_opt。