[发明专利]一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法有效
| 申请号： | 201910071106.3 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN109785891B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 王彬;曹成 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵玉凤 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 获取 nand flash 存储器 擦除 特性 规律 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、选定磨损次数X、数据保存时间Y、数据读干扰次数Z；S02）、选定两组NAND Flash存储器块，第一组用于浅擦除测试，第二组用于正常擦除测试；S03）、确定NAND Flash存储器块包含的字线总数及用于浅擦除测试的字线数V，U表示NAND Flash存储器块包含的字线总数，V＜U，本步骤中，令V=1；S04）、将两组块磨损X次，将第一组中每个块的前V个字线写入数据，将第二组块中每个块的U个字线全部写入数据；S05）、对第一组、第二组所有的块进行擦除；S06）、将第一组、第二组所有块的U个字线全部写入数据；S07）、将两组测试样本放置Y小时；S08）、对两组测试样本的每个块执行Z次读干扰；S09）、读取两组块中的数据，记录数据的出错位数；S10）、令V的值加1；S11）、重复步骤S04至S10，直到V=U；S12）、统计测试数据，分析浅擦除效应与被使用的子线数据V的关系，得出Vopt，该值表示当NAND Flash存储器块中有至少Vopt个字线被写入数据时，浅擦除效应的影响可以被忽略。
2.根据权利要求1所述的获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法，其特征在于：X≥0，Y≤3个月，Z≤1000000。
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