[发明专利]一种丝网印刷不良片的表面处理方法及返工方法在审
申请号: | 201910068654.0 | 申请日: | 2019-01-24 |
公开(公告)号: | CN109755352A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 刘文琦;张剑峰;方杰;王瑶;刘景龙 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人: | 李非非;杨兴宇 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 丝网印刷 酸洗 返工 盐酸 擦拭 清洗 超声波清洗机 硝酸 烘干 良率 | ||
本发明提供了一种丝网印刷不良片的表面处理方法,包括对丝网印刷不良片的表面进行擦拭或利用超声波清洗机对丝网印刷不良片进行清洗,所述擦拭或所述清洗后对所述丝网印刷不良片进行第一水洗;利用第一盐酸对所述丝网印刷不良片进行第一酸洗,所述第一酸洗后对所述丝网印刷不良片进行第二水洗;利用硝酸对所述丝网印刷不良片进行第二酸洗,所述第二酸洗后对所述丝网印刷不良片进行第三水洗;利用第二盐酸对所述丝网印刷不良片进行第三酸洗,所述第三酸洗后对所述丝网印刷不良片进行第四水洗;对所述丝网印刷不良片进行烘干。相应地,本发明还提供了一种丝网印刷不良片的返工方法。实施本发明可以有效提高不良片的返工良率。
技术领域
本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种丝网印刷不良片的返工方法。
背景技术
现有技术中,太阳能电池片的正电极、背电场以及背电极通常采用丝网印刷的方式形成。典型地,正电极和背电极的材料为银浆,背电场的材料为铝浆。在进行丝网印刷的实际过程中,由于机械因素以及人为因素的存在,因此经常会出现丝网印刷不合格的情况(例如断栅、虚印、印刷偏移、漏浆等),从而产生丝网印刷不良片。而这些丝网印刷不良片最终会影响到太阳能电池片产线的良率及效率。
若将丝网印刷不良片全部降级处理或者报废,则会造成极大的经济损失,因此常见的做法是收集丝网印刷不良片并对其进行返工处理。目前,丝网印刷不良片的返工方法主要包括以下两种:
第一种返工方法是利用有机溶剂将丝网印刷不良片表面浆料手工擦拭掉以后重新印刷。这种返工方法的不足之处在于:(1)手工擦拭只能除去丝网印刷不良片表面的大部分浆料,而无法将绒面坑洞内的浆料清除干净;(2)擦拭过程中用力过大还会破坏太阳能电池片的绒面结构以及PN结,对太阳能电池片造成划伤;(3)沾染或残留到太阳能电池片正面的铝浆经过烧结后很容易破坏PN结。上述不足之处导致利用这种返工方法所得到的太阳能电池片其失效比例很高。
第二种返工方法是首先利用有机溶剂将丝网印刷不良片表面浆料手工擦拭掉以后对丝网印刷不良片进行洗膜、然后经两次制绒扩散后按照常规流程进行生产。与第一种返工方法相比,这种返工方法可以降低太阳能电池片的失效比例,但是由于这种返工方法步骤繁琐、费时费力,因此导致返工成本较高。此外,利用这种返工方法所得到的太阳能电池片电致发光(EL,Electroluminescence)异常比例偏高,其中花纹片占比最高,高达33%。
发明内容
为了克服现有技术中的上述缺陷,本发明提供了一种丝网印刷不良片的表面处理方法,该表面处理方法包括:
对丝网印刷不良片的表面进行擦拭或利用超声波清洗机对丝网印刷不良片进行清洗,所述擦拭或所述清洗后对所述丝网印刷不良片进行第一水洗;
利用第一盐酸对所述丝网印刷不良片进行第一酸洗,所述第一酸洗后对所述丝网印刷不良片进行第二水洗;
利用硝酸对所述丝网印刷不良片进行第二酸洗,所述第二酸洗后对所述丝网印刷不良片进行第三水洗;
利用第二盐酸对所述丝网印刷不良片进行第三酸洗,所述第三酸洗后对所述丝网印刷不良片进行第四水洗;
对所述丝网印刷不良片进行烘干。
根据本发明的一个方面,该表面处理方法中,对丝网印刷不良片的表面进行擦拭包括:利用松油醇和/或酒精对丝网印刷不良片的正面和背面进行擦拭。
根据本发明的另一个方面,该表面处理方法中,利用超声波清洗机对丝网印刷不良片进行清洗包括:在超声波清洗机内加入松油醇和/或酒精,并将丝网印刷不良片放入所述超声波清洗机内对所述丝网印刷不良片进行清洗。
根据本发明的又一个方面,该表面处理方法中,所述第二盐酸的质量百分比浓度高于所述第一盐酸的质量百分比浓度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的