[发明专利]半导体装置

说明书

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，通过隔离沟槽彼此隔离，并且分别在基底上沿第一方向延伸；第三鳍型图案，在第二方向上与第一鳍型图案和第二鳍型图案分隔开并且在第一方向上延伸；场绝缘膜，位于第一鳍型图案至第三鳍型图案的侧壁的一部分上；器件隔离结构，在第二方向上延伸并且位于隔离沟槽中；栅极绝缘支撑件，在场绝缘膜上沿第一方向延伸并且位于第一鳍型图案与第三鳍型图案之间；栅极结构，与第三鳍型图案交叉，在第二方向上延伸并且与栅极绝缘支撑件接触，其中，从基底到栅极结构的底表面的高度比从基底到栅极绝缘支撑件的底表面的高度大。

本申请要求于2018年3月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0034854号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体装置。

背景技术

用于增加半导体装置密度的缩小(scaling)技术之一是基于在基底上形成多栅极晶体管，在多栅极晶体管中形成有具有鳍形状或纳米线形状的多沟道有源图案(或硅主体)。栅极形成在多沟道有源图案的表面上。

由于这样的多栅极晶体管利用三维沟道，因此可更容易执行缩小。此外，即使不增加多栅极晶体管的栅极长度也可以改善电流控制能力。此外，可能够有效地抑制沟道区域的电位受漏极电压影响的短沟道效应(SCE)。

发明内容

本发明构思的方面可以提供一种半导体装置，所述半导体装置可以减小相邻晶体管的源极/漏极之间的短路的可能性或防止相邻晶体管的源极/漏极之间的短路，所述半导体装置包括隔离绝缘图案，所述隔离绝缘图案使在长度方向上相邻的栅电极隔离并且包括在同一制造工艺阶段中形成的栅极绝缘支撑件和器件隔离结构，从而改善操作性能和可靠性。

本发明构思的方面不限于上述的方面，可以根据下面的描述理解未提及的其他方面。

根据本发明构思的一些实施例，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，通过隔离沟槽彼此隔离并且分别在基底上沿第一方向延伸；第三鳍型图案，在第二方向上与第一鳍型图案和第二鳍型图案分隔开并且在第一方向上延伸；场绝缘膜，位于第一鳍型图案至第三鳍型图案的侧壁的一部分上；器件隔离结构，在第二方向上延伸并且位于隔离沟槽中；栅极绝缘支撑件，在场绝缘膜上沿第一方向延伸并位于第一鳍型图案和第三鳍型图案之间；栅极结构，与第三鳍型图案交叉，在第二方向上延伸，并且与栅极绝缘支撑件接触，其中，从基底到栅极结构的底表面的高度比从基底到栅极绝缘支撑件的底表面的高度大。

根据本发明构思的一些实施例，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，通过隔离沟槽彼此隔离并且分别在基底上沿第一方向延伸；第三鳍型图案，在第二方向上与第一鳍型图案和第二鳍型图案分隔开并沿第一方向延伸；场绝缘膜，设置在第一鳍型图案、第二鳍型图案和第三鳍型图案的侧壁的一部分上；器件隔离结构，包括堆叠结构，器件隔离结构在第二方向上延伸并且位于隔离沟槽中；栅极绝缘支撑件，包括堆叠结构，栅极绝缘支撑件在场绝缘膜上沿第一方向延伸并位于第一鳍型图案和第三鳍型图案之间；以及栅极结构，与第三鳍型图案交叉，在第二方向上延伸，并与栅极绝缘支撑件接触。