[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一鳍型图案和第二鳍型图案，通过隔离沟槽彼此隔离，并且分别在基底上沿第一方向延伸；

第三鳍型图案，在第二方向上与所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案分隔开并且在所述第一方向上延伸；

场绝缘膜，位于所述第一鳍型图案至所述第三鳍型图案的侧壁的一部分上；

器件隔离结构，在所述第二方向上延伸并且位于所述隔离沟槽中；

栅极绝缘支撑件，在所述场绝缘膜上沿所述第一方向延伸并位于所述第一鳍型图案与所述第三鳍型图案之间；

栅极结构，与所述第三鳍型图案交叉，在所述第二方向上延伸并且与所述栅极绝缘支撑件接触，

其中，从所述基底到所述栅极结构的底表面的高度比从所述基底到所述栅极绝缘支撑件的底表面的高度大。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，从所述第一鳍型图案的上表面到所述器件隔离结构的底表面的深度比从所述第一鳍型图案的所述上表面到所述栅极绝缘支撑件的所述底表面的深度大。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，从所述第一鳍型图案的上表面到所述器件隔离结构的底表面的深度与所述第一鳍型图案的高度相等，或者比所述第一鳍型图案的所述高度大。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，从所述第一鳍型图案的所述上表面到所述栅极绝缘支撑件的所述底表面的深度比所述第一鳍型图案的所述高度小。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘支撑件和所述器件隔离结构彼此直接接触。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极结构包括栅极间隔件和高介电常数绝缘膜，其中，所述栅极间隔件限定栅极沟槽，所述高介电常数绝缘膜沿所述栅极沟槽的侧壁和底表面延伸，

其中，所述高介电常数绝缘膜不沿所述栅极绝缘支撑件的侧壁延伸。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘支撑件包括栅极绝缘填充膜以及位于所述栅极绝缘填充膜的侧壁上的栅极绝缘衬里，

其中，所述器件隔离结构包括器件隔离填充膜以及位于所述器件隔离填充膜上的器件隔离衬里。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘衬里包括与所述器件隔离衬里相同的材料。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极结构包括栅极间隔件、栅电极和盖图案，其中，所述栅极间隔件限定栅极沟槽，所述栅电极位于所述栅极沟槽的一部分中，所述盖图案在所述栅极沟槽中位于所述栅电极上。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘支撑件包括栅极绝缘填充膜和栅极绝缘衬里，所述栅极绝缘衬里在所述栅极绝缘填充膜和所述盖图案之间延伸。

11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一鳍型图案和第二鳍型图案，通过隔离沟槽彼此隔离并且分别在基底上沿第一方向延伸；

第三鳍型图案，在第二方向上与所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案分隔开并沿所述第一方向延伸；

场绝缘膜，设置在所述第一鳍型图案、所述第二鳍型图案和所述第三鳍型图案的侧壁的一部分上；

器件隔离结构，包括堆叠结构，所述器件隔离结构在所述第二方向上延伸并且位于所述隔离沟槽中；

栅极绝缘支撑件，包括所述堆叠结构，所述栅极绝缘支撑件在所述场绝缘膜上沿所述第一方向延伸并位于所述第一鳍型图案和所述第三鳍型图案之间；

栅极结构，与所述第三鳍型图案交叉，在所述第二方向上延伸，并且与所述栅极绝缘支撑件接触。