[发明专利]封装基板及其制法

说明书

一种封装基板及其制法，形成止挡层于一核心层上，并形成贯穿该核心层的通孔，接着形成导电结构于该通孔中，再移除该止挡层，之后形成线路层于该核心层与该导电结构上，从而,经由该止挡层的设计，以利控制该导电结构的高度，并制作出所需的细线宽/线距的线路层。

技术领域

本发明有关一种基板结构，尤指一种具有导通孔的封装基板及其制法。

背景技术

为符合半导体封装件轻薄短小、多功能、高速度、高线路密度及高频化的开发方向，封装基板已朝向细线路及小孔径发展。现有封装基板制程已从传统100微米(μm)的线路尺寸缩减至30微米以下。

图1A至图1H为现有封装基板1的制法的剖面示意图。

如图1A所示，提供一核心板10，其相对两表面10a,10b具有第一金属层11a。

如图1B所示，于该核心板10及第一金属层11a中形成至少一通孔(through-hole)100，再于该通孔100的孔壁及第一金属层11a上形成铜质导电层(seed layer)12。

如图1C所示，于该第一金属层11a上的导电层12上形成第二金属层11b，并于该通孔100中的导电层12上形成导电通孔11c。

如图1D所示，于该通孔100的剩余空间中形成导电或不导电的塞孔材料15。

如图1E所示，于各该第二金属层11b上及导电通孔11c上形成一金属盖层11d。

如图1F所示，于各该金属盖层11d上形成一阻层14，并于该些阻层14中形成多个开口区140，以露出部分金属盖层11d。

如图1G所示，蚀刻移除该开口区140中的金属盖层11d、第二金属层11b、导电层12及第一金属层11a，以令该阻层14下的金属盖层11d、第二金属层11b、导电层12及第一金属层11a作为线路层13。

如图1H所示，移除该阻层14，以露出该线路层13，进而制得封装基板1。

然而，现有封装基板1的制法采用减成蚀刻法(substractive)制作该线路层13，因需蚀刻极厚的金属材(金属盖层11d、第二金属层11b、导电层12及第一金属层11a)，故需使用大量的蚀刻液，导致该封装基板1的制作成本大幅增加。

此外，蚀刻液会产生侧蚀底切现象(如图1F所示的锥状线路层13)，致使无法制作线宽更小的线路层13，故该线路层13的线宽/线距的最小化仅为25/25微米(μm)，因而难以符合未来对于细线宽/线距的需求。

因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成为目前业界亟待克服的难题。

发明内容

有鉴于上述现有技术的缺失，本发明提供一种封装基板及其制法，以利控制导电结构的高度，并制作出所需的细线宽/线距的线路层。

本发明的封装基板的制法，包括：形成一材质为惰性金属的止挡层于一核心层上；形成至少一贯穿该止挡层与该核心层的通孔；形成导电结构于该通孔中；移除位于该核心层上的该止挡层；以及形成线路层于该核心层与该导电结构上，使该线路层电性连接该导电结构。

本发明还提供一种封装基板的制法，包括：形成至少一贯穿一核心层的通孔；形成一材质为惰性金属的止挡层于该核心层与该通孔的孔壁上；形成导电结构于该通孔中；移除位于该核心层上的该止挡层；以及形成线路层于该核心层与该导电结构上，使该线路层电性连接该导电结构。

前述的制法中，构成该止挡层的材质包含镍、钯及/或金。