[发明专利]封装基板及其制法在审
申请号: | 201910062786.2 | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN111463135A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 米轩皞;白裕呈;罗家麒;吴启睿;康政畬 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台湾台中*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 制法 | ||
1.一种封装基板的制法,其特征在于,包括:
形成一材质为惰性金属的止挡层于一核心层上;
形成至少一贯穿该止挡层与该核心层的通孔;
形成导电结构于该通孔中;
移除位于该核心层上的该止挡层;以及
形成线路层于该核心层与该导电结构上,使该线路层电性连接该导电结构。
2.一种封装基板的制法,其特征在于,包括:
形成至少一贯穿一核心层的通孔;
形成一材质为惰性金属的止挡层于该核心层与该通孔的孔壁上;
形成导电结构于该通孔中;
移除位于该核心层上的该止挡层;以及
形成线路层于该核心层与该导电结构上,使该线路层电性连接该导电结构。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的封装基板的制法,其特征在于,构成该止挡层的材质包含镍、钯及/或金。
4.根据权利要求1或2中任一项所述的封装基板的制法,其特征在于,该导电结构的制程包含先形成金属材于该通孔中,再将填充材形成于该通孔剩余空间中。
5.根据权利要求4所述的封装基板的制法,其特征在于,该填充材为绝缘材。
6.根据权利要求4所述的封装基板的制法,其特征在于,该导电结构的制程还包含形成该金属材于该止挡层上方,且于形成该填充材后,移除位于该止挡层上方的金属材,使该止挡层呈外露状态。
7.根据权利要求1或2中任一项所述的封装基板的制法,其特征在于,该止挡层的移除以化学剥离方式为之。
8.根据权利要求1或2中任一项所述的封装基板的制法,其特征在于,该制法还包括于形成该止挡层与该通孔之前,先形成第一金属层于该核心层上,且移除位于该核心层上的该止挡层后,外露出该第一金属层。
9.根据权利要求8所述的封装基板的制法,其特征在于,该线路层的制程包含:
形成导电层于该第一金属层与该导电结构上;
形成阻层于该导电层上,且该阻层形成有多个图案化开口;
形成第二金属层于该图案化开口中;以及
移除该阻层及其下的该导电层与该第一金属层,以令该线路层包含该第二金属层及其下的该导电层与该第一金属层。
10.一种封装基板,其特征在于,包括:
核心层,其具有至少一通孔;
导电结构,其形成于该通孔中,且该导电结构包含有接触结合该通孔的孔壁且材质为惰性金属的止挡层;以及
线路层,其形成于该核心层上以电性连接该导电结构。
11.根据权利要求10所述的封装基板,其特征在于,构成该止挡层的材质包含镍、钯及/或金。
12.根据权利要求10所述的封装基板,其特征在于,该导电结构还包含有接触结合该止挡层的金属材。
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