[发明专利]硅控整流器

权利要求书

1.一种硅控整流器，其特征在于，包含：

一P型基板；

一N型掺杂井区，设于该P型基板中；

一第一P型条状重掺杂区，设于该N型掺杂井区中；

一第一N型条状重掺杂区，设于该P型基板中，该第一N型条状重掺杂区平行该第一P型条状重掺杂区；

一第二P型条状重掺杂区，设于该P型基板中，并平行该第一N型条状重掺杂区；以及

至少一N型重掺杂区，设于该P型基板与该N型掺杂井区中，该至少一N型重掺杂区位于该第一P型条状重掺杂区与该第一N型条状重掺杂区的外侧，该至少一N型重掺杂区靠近该第一P型条状重掺杂区，而非靠近该第一N型条状重掺杂区，该至少一N型重掺杂区并未位于该第一P型条状重掺杂区与该第一N型条状重掺杂区之间；

其中该至少一N型重掺杂区靠近该第一P型条状重掺杂区的一端，而非靠近该第一P型条状重掺杂区的侧壁。

2.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，该第一P型条状重掺杂区电性连接一阳极，该第一N型条状重掺杂区与该第二P型条状重掺杂区电性连接一阴极。

3.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，该P型基板为P型轻掺杂基板，该N型掺杂井区为N型轻掺杂井区。

4.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，该至少一N型重掺杂区的数量为2。

5.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，该第二P型条状重掺杂区接触该第一N型条状重掺杂区。

6.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，更包含一第二N型条状重掺杂区，其设于该N型掺杂井区，并平行该第一P型条状重掺杂区，该至少一N型重掺杂区靠近该第二N型条状重掺杂区，而非该第一N型条状重掺杂区。

7.如权利要求6所述的硅控整流器，其特征在于，该第一P型条状重掺杂区与该第二N型条状重掺杂区电性连接一阳极，该第一N型条状重掺杂区与该第二P型条状重掺杂区电性连接一阴极。

8.如权利要求6所述的硅控整流器，其特征在于，该第一P型条状重掺杂区接触该第二N型条状重掺杂区。

9.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，更包含至少一P型重掺杂区，其设于该P型基板中，并接触该至少一N型重掺杂区，该至少一N型重掺杂区位于该至少一P型重掺杂区与该第一P型条状重掺杂区之间。

10.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，更包含至少一P型重掺杂区，其设于该P型基板与该至少一N型重掺杂区中，该至少一P型重掺杂区较该至少一N型重掺杂区更深，该至少一P型重掺杂区的部分侧壁被该至少一N型重掺杂区环绕。

11.一种硅控整流器，其特征在于，包含：

一N型基板；

一P型掺杂井区，设于该N型基板中；

一第一N型条状重掺杂区，设于该P型掺杂井区中；

一第一P型条状重掺杂区，设于该N型基板中，并平行该第一N型条状重掺杂区；

一第二P型条状重掺杂区，设于该P型掺杂井区中，并平行该第一N型条状重掺杂区；以及

至少一P型重掺杂区，设于该N型基板与该P型掺杂井区中，该至少一P型重掺杂区位于该第一N型条状重掺杂区与该第一P型条状重掺杂区的外侧，且该至少一P型重掺杂区靠近该第一N型条状重掺杂区与该第二P型条状重掺杂区，而非靠近该第一P型条状重掺杂区，该至少一P型重掺杂区并未位于该第一N型条状重掺杂区与该第一P型条状重掺杂区之间；

其中该至少一P型重掺杂区靠近该第一N型条状重掺杂区的一端，而非靠近该第一N型条状重掺杂区的侧壁。

12.如权利要求11所述的硅控整流器，其特征在于，该第一N型条状重掺杂区与该第二P型条状重掺杂区电性连接一阴极，该第一P型条状重掺杂区电性连接一阳极。