[发明专利]一种晶片清洗方法

说明书

本发明公开了一种晶片清洗方法，该清洗方法包括：清洗时，晶片具有第一自转，刷头在晶片上做往返的弧线运动，弧线运动的往返点超出或重合于晶片的边沿；清洗后，晶片具有第二自转，用来甩干晶片表面的残留清洗液。本发明的有益效果为刷头在晶片上做往返的弧线运动并配合晶片自转，实现了对晶片的全面覆盖清洗；晶片自转的同时，刷头也按照一定速度旋转，且两者旋转的方向相反，使得清洗更为有力高效；配合二流体来清洗，一方面取得更细微的水微粒，更好的与刷头配合清洗晶片，另一方面二流体中的氮气使得水微粒的动能更大，更好的带走微尘，调整水气比例还可以取得不同的清洗效果，适应更多类型的晶片。

技术领域

本发明属于晶片清洗领域，具体涉及一种晶片清洗方法。

背景技术

晶片有很高的洁净度要求，因此需要对晶片进行清洗。刷片机就是用来完成对晶片的自动清洗工作的装置。需要不断对晶片清洗效率进行提高以及实现全自动化，同时还要追求更高的洁净度。晶片的清洗方法影响清洗的效率。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种晶片清洗方法，本发明能够更高效的完成对晶片的清洗，并提高晶片的洁净度。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种晶片清洗方法，该清洗方法包括：

清洗时，晶片具有第一自转，刷头在晶片上做往返的弧线运动，弧线运动的往返点超出或重合于晶片的边沿；

清洗后，晶片具有第二自转，用来甩干晶片表面的残留清洗液。

清洗时，所述刷头还具有第三自转。

所述第一自转与所述第三自转的方向相反。

该清洗方法还包括：

清洗时，向晶片上喷射二流体，所述二流体为氮气和水经过喷嘴后形成。

该清洗方法还包括：

具备送水装置，所述送水装置能够向所述晶片喷水。

所述第二自转的速度大于所述第一自转的速度。

所述第一自转的速度小于800RPM，所述第二自转的速度在2500-3500RPM之间。

所述第三自转的速度小于300RPM。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

1、刷头在晶片上做往返的弧线运动并配合晶片自转，实现了对晶片的全面覆盖清洗；

2、晶片自转的同时，刷头也按照一定速度旋转，且两者旋转的方向相反，使得清洗更为有力高效；

3、配合二流体来清洗，一方面取得更细微的水微粒，更好的与刷头配合清洗晶片，另一方面二流体中的氮气使得水微粒的动能更大，更好的带走微尘，调整水气比例还可以取得不同的清洗效果，适应更多类型的晶片；

4、配合送水装置，进一步辅助对晶片的清洗；

5、通过晶片2500-3500RPM之间转速，完成对晶片表面残留清洗液的快速甩干。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的整体结构示意图。

图2为本发明的刷头弧线运动区间示意图。

图3为实施本发明方法一种晶片清洗装置的整体结构示意图。