[发明专利]一种晶片清洗方法在审
| 申请号： | 201910059147.0 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109848092A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 林生海;陈景韶;葛林五;葛林新;李杰;丁高生 | 申请（专利权）人： | 上海提牛机电设备有限公司 |
| 主分类号： | B08B1/02 | 分类号： | B08B1/02;B08B3/02;B08B5/02;F26B5/08 |
| 代理公司： | 上海智力专利商标事务所(普通合伙) 31105 | 代理人： | 周涛 |
| 地址： | 201405 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 清洗 自转 刷头 弧线运动 往返 水微粒 流体 种晶 氮气 配合 方向相反 晶片表面 清洗晶片 清洗效果 全面覆盖 多类型 清洗液 动能 水气 重合 甩干 微尘 残留 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片清洗方法，其特征在于，该清洗方法包括：
清洗时，晶片（100）具有第一自转，刷头（200）在晶片（100）上做往返的弧线运动，弧线运动的往返点超出或重合于晶片（100）的边沿（110）；
清洗后，晶片（100）具有第二自转，用来甩干晶片（100）表面的残留清洗液。
2.根据权利要求1所述的晶片清洗方法，其特征在于，清洗时，所述刷头（200）还具有第三自转。
3.根据权利要求2所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述第一自转与所述第三自转的方向相反。
4.根据权利要求1所述的晶片清洗方法，其特征在于，该清洗方法还包括：
清洗时，向晶片（100）上喷射二流体，所述二流体为氮气和水经过喷嘴后形成。
5.根据权利要求1-4中任一所述的晶片清洗方法，其特征在于，该清洗方法还包括：
具备送水装置，所述送水装置能够向所述晶片（100）喷水。
6.根据权利要求1所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述第二自转的速度大于所述第一自转的速度。
7.根据权利要求6所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述第一自转的速度小于800RPM，所述第二自转的速度在2500-3500RPM之间。
8.根据权利要求2所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述第三自转的速度小于300RPM。
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