[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

本发明涉及一种存储器及其形成方法，所述存储器的形成方法包括：提供存储基底，所述存储基底包括衬底和器件层，所述器件层形成于所述衬底正面，所述器件层内形成有存储结构和互连结构，所述互连结构与所述存储结构之间具有电连接，所述衬底内形成有绝缘层，至少部分所述互连结构形成于所述绝缘层表面，所述绝缘层顶面与所述衬底正面齐平，所述绝缘层底面与所述衬底背面齐平；位于所述衬底背面及绝缘层底面上的介电层；贯穿所述介电层和绝缘层的贯穿接触部，所述贯穿接触部与至少部分所述互连结构形成电连接。上述方法可以节约工艺步骤，降低成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储器及其形成方法。

背景技术

近年来，闪存(Flash Memory)存储器的发展尤为迅速。闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(Bit Density)，同时减少位成本(Bit Cost)，三维的闪存存储器(3D NAND)技术得到了迅速发展。

在3D NAND闪存结构中，包括存储阵列结构以及位于存储阵列结构上方的CMOS电路结构，所述存储阵列结和CMOS电路结构通常分别形成于两个不同的晶圆上，然后通过键合方式，将形成有CMOS电路晶圆与存储整列结构晶圆键合，然后将存储阵列结构晶圆的背面打薄后，再从晶圆背面形成贯穿晶圆接触部，将CMOS电路和存储阵列结构的电路接出来。

现有技术中，形成所述贯穿晶圆接触部工艺流程复杂，周期较长，导致工艺成本较高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种存储器及其形成方法，简化形成贯穿晶圆接触部的工艺流程，降低工艺成本。

本发明的技术方案提供一种存储器的形成方法，包括：提供存储基底，所述存储基底包括衬底和器件层，所述衬底具有相对的正面和背面，所述器件层形成于所述衬底正面上，所述器件层内形成有存储结构和互连结构，所述互连结构与所述存储结构之间具有电连接，所述衬底内形成有绝缘层，至少部分所述互连结构形成于所述绝缘层表面，所述绝缘层顶面与所述衬底正面齐平，所述绝缘层底面与所述衬底背面齐平；位于所述衬底背面及绝缘层底面上的介电层；

贯穿所述介电层和绝缘层的贯穿接触部，所述贯穿接触部与至少部分所述互连结构形成电连接。

可选的，所述存储结构包括交替堆叠的隔离层和控制栅层，以及贯穿所述隔离层和控制栅层的沟道柱结构。

可选的，部分所述互连结构贯穿所述器件层。

可选的，采用化学机械研磨工艺对所述衬底背面进行减薄。

可选的，以所述绝缘层作为所述化学机械研磨工艺的停止层。

可选的，相邻通孔之间的间距不小于160nm，通孔侧壁与衬底之间的距离不小于160nm。

可选的，还包括：提供电路基底，将所述存储基底正面与所述电路基底正面键合连接之后，再对所述电路基底的衬底背面进行减薄；所述电路基底内形成有外围电路，所述电路基底正面暴露出所述外围电路的连接部，所述存储基底正面暴露出部分互连结构的表面，将所述外围电路的连接部与所述存储基底的部分互连结构的表面之间键合连接。

可选的，还包括在所述衬底正面形成对准标记，所述绝缘层与所述对准标记同时形成。

可选的，所述绝缘层和所述对准标记的形成方法包括：刻蚀所述衬底正面，在所述衬底正面形成与对准标记图形一致的刻蚀图形以及凹槽，在所述刻蚀图形和凹槽内填充绝缘材料并进行平坦化，形成位于所述刻蚀图形内的对准标记以及位于所述凹槽内的绝缘层。