[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供存储基底，所述存储基底包括衬底和器件层，所述衬底具有相对的正面和背面，所述器件层形成于所述衬底正面上，所述器件层内形成有存储结构和互连结构，所述互连结构与所述存储结构之间具有电连接，所述衬底内形成有绝缘层，至少部分所述互连结构形成于所述绝缘层表面，所述绝缘层顶面与所述衬底正面齐平，所述绝缘层底面与所述衬底背面齐平，且所述绝缘层和器件层的形成过程包括：刻蚀所述衬底正面，在待形成贯穿接触部的区域内形成凹陷，在所述凹陷内填充绝缘材料并进行平坦化，形成填充满所述凹陷的绝缘层；形成绝缘层后，在所述衬底上形成器件层；

提供电路基底，所述电路基底内形成有外围电路，将所述存储基底正面与所述电路基底正面键合连接，其中所述外围电路与所述存储基底的部分互连结构的表面之间键合连接；

在所述衬底背面及绝缘层底面上形成介电层；

形成贯穿所述介电层和所述绝缘层的通孔，所述通孔底部至少暴露所述互连结构的表面；

于所述通孔内形成贯穿所述介电层和绝缘层的贯穿接触部，所述贯穿接触部与至少部分所述互连结构形成电连接。

2.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述存储结构包括交替堆叠的隔离层和控制栅层，以及贯穿所述隔离层和控制栅层的沟道柱结构。

3.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，部分所述互连结构贯穿所述器件层。

4.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺对所述衬底背面进行减薄。

5.根据权利要求4所述的存储器的形成方法，其特征在于，以所述绝缘层作为所述化学机械研磨工艺的停止层。

6.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，相邻贯穿接触部之间的间距不小于160nm，贯穿接触部侧壁与衬底之间的距离不小于160nm。

7.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，还包括：将所述存储基底正面与所述电路基底正面键合连接之后，再对所述存储基底的衬底背面进行减薄；所述电路基底正面暴露出所述外围电路的连接部，所述存储基底正面暴露出部分互连结构的表面，将所述外围电路的连接部与所述存储基底的部分互连结构的表面之间键合连接。

8.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，还包括在所述衬底正面形成对准标记，所述绝缘层与所述对准标记同时形成。

9.根据权利要求8所述存储器的形成方法，其特征在于，所述绝缘层和所述对准标记的形成方法包括：刻蚀所述衬底正面，在所述衬底正面形成与对准标记图形一致的刻蚀图形以及凹槽，在所述刻蚀图形和凹槽内填充绝缘材料并进行平坦化，形成位于所述刻蚀图形内的对准标记以及位于所述凹槽内的绝缘层。

10.一种存储器，其特征在于，包括：

存储基底，所述存储基底包括衬底和器件层，所述器件层形成于所述衬底正面，所述器件层内形成有存储结构和互连结构，所述互连结构与所述存储结构之间具有电连接，所述衬底内形成有绝缘层，至少部分所述互连结构形成于所述绝缘层表面，所述绝缘层顶面与所述衬底正面齐平，所述绝缘层底面与所述衬底背面齐平，且所述绝缘层和器件层的通过下述工艺形成，包括：

刻蚀所述衬底正面，在待形成贯穿接触部的区域内形成凹陷，在所述凹陷内填充绝缘材料并进行平坦化，形成填充满所述凹陷的绝缘层；形成绝缘层后，在所述衬底上形成器件层；

电路基底，所述电路基底内形成有外围电路，所述存储基底正面与所述电路基底正面键合连接，其中所述外围电路与所述存储基底的部分互连结构的表面之间键合连接；

位于所述衬底背面及绝缘层底面上的介电层；

贯穿所述介电层和所述绝缘层的通孔，所述通孔底部至少暴露所述互连结构的表面；

贯穿所述介电层和绝缘层且填充所述通孔的贯穿接触部，所述贯穿接触部通过部分互连结构连接至所述存储结构。