[发明专利]LED外延片及制作方法、LED芯片

说明书

本公开涉及LED技术领域，提出一种LED外延片生成方法，该方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成图案化的种子层，所述种子层的非镂空区域包括与待形成LED芯片所需外延层形状、大小相同的图案；根据成核外延原理在所述种子层的非镂空区域上形成外延层；其中，所述基板材料与所述外延层材料的晶格失配率大于所述种子层材料与所述外延层材料的晶格失配率。本公开提供的LED外延片生成方法可以直接在衬底基板上形成待形成LED芯片所需的外延层图案，避免了在形成LED芯片时由于对外延层的刻蚀导致的对LED芯片发光层的损坏。

技术领域

本公开涉及LED技术领域，尤其涉及一种LED外延片及制作方法、LED芯片。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

LED芯片一般是通过对LED外延片进一步加工制作形成。LED外延片一般包括衬底基板和形成于衬底基板上的外延层。在通过LED外延片形成LED芯片过程中，需要对LED外延片上的外延层进行刻蚀以形成LED芯片所需要形状、大小的外延层图案。

然而，在对LED外延片上的外延层进行刻蚀时，容易对外延层中用于发光的有源层的边沿造成破坏，从而影响LED芯片的发光效率。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

公开内容

本公开的目的在于提供一种LED外延片及制作方法、LED芯片，进而至少在一定程度上克服相关技术中，由于对外延层进行刻蚀导致LED芯片发光率低的问题。

根据本公开的一个方面，提供一种LED外延片生成方法，该方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成图案化的种子层，所述种子层的非镂空区域包括与待形成LED芯片所需外延层形状、大小相同的图案；

根据成核外延原理在所述种子层的非镂空区域上形成外延层；

其中，所述衬底基板材料与所述外延层材料的晶格失配率大于所述种子层材料与所述外延层材料的晶格失配率。

在本公开的一种示例性实施例中，所述衬底基板包括蓝宝石、碳化硅、单晶硅中的一种或多种。

在本公开的一种示例性实施例中，所述外延层包括氮化镓基材，所述种子层包括氮化镓、氮化铝、砷化镓中的一种或多种。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述衬底基板上形成图案化的种子层，包括：

在所述衬底基板上形成种子材料层；

在所述种子材料层上形成光刻胶层；

通过曝光、显影、刻蚀工艺将所述种子材料层形成具有图案化的所述种子层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述外延层包括依次形成于所述种子层非镂空区域的第一掺杂层、有源层、第二掺杂层；

在所述种子层的非镂空区域上形成外延层，包括：

根据成核外延原理利用金属有机化学气相沉积法将在所述种子层的非镂空区域依次形成所述第一掺杂层、有源层、第二掺杂层。