[发明专利]LED外延片及制作方法、LED芯片有效
| 申请号： | 201910047849.7 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109802017B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王美丽;王飞;徐婉娴 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 外延 制作方法 芯片 | ||
1.一种LED外延片生成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成图案化的种子层，所述种子层的非镂空区域包括与待形成LED芯片所需外延层形状、大小相同的图案；
根据成核外延原理在所述种子层的非镂空区域上形成外延层；
其中，所述衬底基板材料与所述外延层材料的晶格失配率大于所述种子层材料与所述外延层材料的晶格失配率；
所述外延层包括依次形成于所述种子层非镂空区域的第一掺杂层、有源层、第二掺杂层；
根据成核外延原理在所述种子层的非镂空区域上形成外延层，包括：
根据成核外延原理利用金属有机化学气相沉积法将在所述种子层的非镂空区域依次形成所述第一掺杂层、有源层、第二掺杂层。
2.根据权利要求1所述的LED外延片生成方法，其特征在于，所述衬底基板包括蓝宝石、氮化硅、单晶硅中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的LED外延片生成方法，其特征在于，所述外延层包括氮化镓基材，所述种子层包括氮化镓、氮化铝、砷化镓中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的LED外延片生成方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成图案化的种子层，包括：
在所述衬底基板上形成种子材料层；
在所述种子材料层上形成光刻胶层；
通过曝光、显影、刻蚀工艺将所述种子材料层形成具有图案化的所述种子层。
5.一种LED外延片，其特征在于，包括：
衬底基板；
种子层，包括镂空区域和非镂空区域，所述种子层的非镂空区域包括与待形成LED芯片所需外延层形状、大小相同的图案；
外延层，形成于所述种子层的非镂空区域；
其中，所述衬底基板材料与所述外延层材料的晶格失配率大于所述种子层材料与所述外延层材料的晶格失配率；
所述外延层包括依次形成于所述种子层非镂空区域的第一掺杂层、有源层、第二掺杂层。
6.根据权利要求5所述的LED外延片，其特征在于，所述衬底基板包括蓝宝石、碳化硅、单晶硅中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述的LED外延片，其特征在于，所述外延层为氮化镓基材，所述种子层包括氮化镓、氮化铝、砷化镓中的一种或多种。
8.一种LED芯片，通过权利要求5-7任一项所述的LED外延片制成。
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