[发明专利]一种半导体发光元件

说明书

一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列沿着厚度方向包括第一类型导电半导体层、第二类型导电半导体层以及两者之间的发光层；多条指状电极，位于半导体发光序列厚度方向的一侧；多个欧姆接触区域，与多条指状电极位于半导体发光序列相反侧，从半导体发光序列指状电极一侧观察，每两条相邻指状电极之间的多个欧姆接触区域沿着指状电极延伸的方向排列成多列，其中最靠近指状电极的第一列的任意一个欧姆接触区域（A）与同一列相邻的欧姆接触区域（B）之间的距离大于所述任意一个欧姆接触区域（A）与靠近指状电极的第二列的相邻一个欧姆接触区域（C）之间的距离，相邻两列的多个欧姆接触区域在垂直于指状电极的方向错开排列。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光元件。

背景技术

LED发光二极管包括第一类型导电性半导体层（N型掺杂）、发光层和第二类型导电性半导体层（P型掺杂）。在第一类型导电性半导体层和第二类型导电性半导体层之间如何进行电流扩展是影响内量子效率的关键因素。如通过主电流注入电极侧横向设置扩展电极以增加注入电流面积以及改善注入电流的均匀性，或通过绝缘层设置电极与半导体序列之间，并在绝缘层上设置多个开口来形成电极的多个欧姆接触区域改善电极到半导体序列一侧的电流扩展是目前主要的改善方式。其中扩展电极或绝缘层开口多个欧姆接触区域的位置关系也会严重影响到电流扩展和传输的效率。

发明内容

本发明提供如下一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列沿着厚度方向包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层以及两者之间的发光层；多条指状电极，位于半导体发光序列厚度方向的一侧；多个欧姆接触区域，与多条指状电极位于半导体发光序列相反侧，其特征在于：从半导体发光序列的多条指状电极所在一侧观察，每两条相邻指状电极之间的多个欧姆接触区域沿着指状电极延伸的方向排列成多列，其中最靠近一指状电极的第一列的任意一个欧姆接触区域（A）与同一列相邻的一个欧姆接触区域（B）之间的距离大于所述任意一个欧姆接触区域（A）与靠近指状电极的第二列的相邻一个欧姆接触区域（C）之间的距离，相邻两列的多个欧姆接触区域在垂直于指状电极的方向错开排列。

更优选的，所述的多条指状电极主要部分相互平行，更优选的，沿着多条指状电极相互平行延伸的部分之间，所述的多个欧姆接触区域沿着延伸方向排列成多列。

更优选的，所述的多个接触区域为阵列式排列。

更优选的，非最靠近指状电极的一列的任意一个欧姆接触区域周围有四个等距的欧姆接触区域。

更优选的，所述四个等距的欧姆接触区域构成一个直角方形结构。

更优选的，所述的多个接触区域的排列方式为一个接触区域周围等距地有六个欧姆接触区域。

更优选的，沿着垂直于指状电极的延伸方向看，所述第二列的相邻一个欧姆接触区域（C）位于最靠近指状电极的一列的临近两个第二欧姆接触区域（A）和（B）之间。

更优选的，任意一个欧姆接触区域（A）与相邻一列的相邻一个欧姆接触区域（C）之间的距离大于等于相邻两列之间的距离的两倍。

更优选的，从半导体发光序列厚度方向上看，其中多条指状电极与多个欧姆接触区域不重叠。

更优选的，其中任意一个接触区域与临近指状电极之间的距离介于两临近指状电极之间的水平距离的5%~50%，所述的水平距离为从半导体发光序列一侧进行俯视观察获得的水平距离。

更优选的，每两条相邻指状电极之间的多个接触区域沿着指状电极方向排列成多列，所述多列的任意临近两列之间的距离介于1~50μm。

更优选的，所述的多个欧姆接触区域的每一个的尺寸1~50μm。

更优选的，所述的多个欧姆接触区域占半导体发光序列临近一侧的面积的3~50%。