[发明专利]一种半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其包括：

半导体发光序列，半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层以及两者之间的发光层；

多条指状电极，位于半导体发光序列厚度方向的一侧；

多个欧姆接触区域，与多条指状电极位于半导体发光序列相反侧；

其特征在于：所述的多条指状电极主要部分相互平行，从半导体发光序列的多条指状电极所在一侧观察，每两条相邻指状电极相互平行的主要部分之间的多个欧姆接触区域沿着指状电极相互平行的主要部分延伸的方向排列成多列，其中最靠近其中一条指状电极的所述主要部分的第一列的任意一个欧姆接触区域（A，A’）与同一列相邻的欧姆接触区域（B，B’）之间的距离大于所述任意一个欧姆接触区域（A，A’）与靠近所述一条指状电极的所述主要部分的第二列的相邻一个欧姆接触区域（C，C’）之间的距离，相邻两列的多个欧姆接触区域在垂直于所述一条指状电极相互平行的所述主要部分的延伸方向错开排列，所述的多个欧姆接触区域的排列方式为任意一个欧姆接触区域周围等距地有六个欧姆接触区域。

2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的多个欧姆接触区域为阵列式排列。

3.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的阵列式排列为任意一个欧姆接触区域周围有四个等距的欧姆接触区域。

4.根据权利要求3所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述四个等距的欧姆接触区域构成一个直角方形。

5.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：最靠近指状电极的第一列的任意一个欧姆接触区域（A，A’）与同一列相邻的欧姆接触区域（B，B’）之间的距离同所述任意一个欧姆接触区域（A，A’）与靠近指状电极的第二列的相邻一个欧姆接触区域（C，C’）之间的距离之间的比例为大于等于，相邻两列的多个欧姆接触区域在垂直于指状电极的方向错开排列。

6.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：沿着垂直于指状电极的延伸方向看，所述第二列的相邻一个欧姆接触区域（C，C’）位于最靠近指状电极的一列的临近两个第二欧姆接触区域（A，A’）和（B，B’）之间。

7.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：任意一个欧姆接触区域（A，A’）与相邻一列的相邻一个欧姆接触区域（C，C’）之间的距离大于等于相邻两列之间的距离的两倍。

8.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：从半导体发光序列厚度方向上看，其中多条指状电极与多个欧姆接触区域不重叠。

9.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：其中任意一个欧姆接触区域与临近指状电极之间的距离介于两临近指状电极之间的水平距离的5%~50%。

10.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：每两条相邻指状电极之间的多个欧姆接触区域沿着指状电极方向排列成多列，所述多列的任意临近两列之间的距离介于5~50μm。

11.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的多个欧姆接触区域的每一个的尺寸1~50μm。

12.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的多个欧姆接触区域占半导体发光序列临近一侧的面积的3~50%。

13.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的多个指状电极的每个指状的主要延伸部分相互平行排列。

14.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的多个指状电极连接同一个第一电极区域，多个指状电极从该第一电极区域延伸出去。