[发明专利]一种用于晶圆处理设备的装载室

说明书

本发明属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，具体涉及一种用于晶圆处理设备的装载室，所述装载腔体组合包括装载腔本体、一个或复数个腔体加热器，所述装载腔本体为一体式加工成型，利用中间隔离板，被分割成四个腔室，上部两个腔室和下部两个腔室又进一步的通过出气通道而串联；所述腔体加热器与装载腔本体耦接，可根据具体的腔体热分布调整腔体加热器的位置。本发明的装载室具有可被加热的功能，可有效阻止液体反应源的残余部分，在腔壁内侧的冷凝现象，杜绝因此而产生的影响晶圆加工质量的颗粒；还可有效阻止热量的散失，节约能源；防止操作人员的热伤害等优点。

技术领域

本发明属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，具体涉及一种用于晶圆处理设备的装载室。

背景技术

半导体镀膜设备在进行沉积反应时，需要使晶圆达到一定的温度，才能沉积出质量符合要求的薄膜。现有半导体镀膜设备大都使晶圆进入反应腔体后停留一段时间，并在停留时通过加热装置或等离子体轰击等方式使晶圆达到沉积反应所需的温度。但是，如停留加热时间短，晶圆未完全达到反应所需温度，则会影响成膜质量；如停留加热时间过长，则降低生产效率，影响产能，增加成本。在现有技术中，公开了一种采用基板支撑件中包含加热器组件，是在装载腔室内增加晶圆加热装置，通常加热装置较重且安装在装载腔室的下方，在组装和设备清洁、维修时，劳动强度过大，或者需要特殊的拆装设备。

为了获得不同材料的薄膜，有时参与沉积反应的源为液态源，这类液态源在特定的气压和温度下，可呈气态。而装载腔室通常会工作在常温常压下，这样一方面会有部分未反应完全的液态源扩散至装载腔室内，另一方面沉积薄膜表面也会有少量的液态源释放出，残余的液态源在常温常压下在装置腔室内壁上会发生冷凝，累积的冷凝液态源有会掉落在处理后的晶圆表面造成缺陷。解决此问题，可利用不同液态源的化学性质，通过改变装载腔室内温度，来保证液态源不会在装载腔室内冷凝。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的在于提供一种用于晶圆处理设备的装载室；

一种用于晶圆处理设备的装载室，用于实现真空环境和大气环境的过渡，包括装载腔体组合、前端隔离阀门、后端隔离阀门，所述装载腔体组合包括装载腔本体、一个或复数个腔体加热器，所述装载腔本体为一体式加工成型，利用中间隔离板，被分割成四个腔室，上部两个腔室和下部两个腔室又进一步的通过出气通道而串联；所述腔体加热器与装载腔本体耦接，可根据具体的腔体热分布调整腔体加热器的位置。

所述装载腔体组合还包括晶圆加热器，其位于下层腔内，固定在下层支撑板上，用于加热晶圆。

所述装载腔体组合还包括下层支撑件升降系统，所述支撑件升降系统包含升降气缸，支撑件基座和复数个晶圆支撑件。

所述装载腔本体还包括上层进气口，上层出气口，下层进气口和下层出气口，上层进气口和下层进气口设计在腔壁外侧，上层出气口和下层出气口设计在腔壁的内侧。

所述装载腔本体结构分为上层盖板安装槽，上层腔体区域，中心板安装槽，下层腔体区域，以及下层支撑板安装槽，所述上层盖板安装槽，上层腔体区域，中心板安装槽，下层腔体区域，从上之下，呈阶梯状，直径尺寸递减，晶圆加热器直径尺寸小于层腔体区域。

所述装载腔本体的外壁使用保温板包附。

所述保温板为低导热系数材料，导热系数小于0.5W/(m·K)。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

装载腔本体具有可被加热的功能，可有效阻止液体反应源的残余部分，在腔壁内侧的冷凝现象，杜绝因此而产生的影响晶圆加工质量的颗粒；

双层装载腔设计，上下层之间设计成可拆卸的隔离板，在进行装载腔室安装和维修时，方便位于下层的晶圆加热器的拆卸，可从上测将晶圆加热器拆下，大大的降低人的劳动强度和劳动时间；