[发明专利]钨膜的成膜方法和成膜系统有效
| 申请号： | 201910043244.0 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN110055511B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 鲛岛崇;前川浩治;山口克昌 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/12 | 分类号： | C23C16/12;C23C16/14;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方法 系统 | ||
1.一种钨膜的成膜方法，其特征在于，将在表面形成有TiN膜的基板配置于处理容器内，在减压气氛下对所述基板进行加热，同时在所述基板的表面进行基于含铝气体和还原气体的具有含铝材料的第1膜的成膜，以及在所述第1膜之上对钨膜进行成膜。
2.根据权利要求1所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，
在对所述第1膜进行成膜的工序中，向处理容器内供给作为含铝气体的AlCl3气体、TMA气体即三甲基铝气体中的至少一者和还原气体，从而对AlN膜进行成膜来作为所述第1膜。
3.根据权利要求2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，
所述还原气体为NH3气体。
4.根据权利要求1所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，
在对所述第1膜进行成膜的工序中，向处理容器内隔着吹扫气体的供给地交替供给作为含铝气体的AlCl3气体、TMA气体即三甲基铝气体中的至少一者和还原气体，从而对AlN膜进行成膜来作为所述第1膜。
5.根据权利要求4所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，
所述还原气体为NH3气体。
6.根据权利要求1所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，
在对所述第1膜进行成膜的工序中，处理容器内的压力为0.1Torr-10Torr。
7.根据权利要求1所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，
所述第1膜的膜厚设为1nm-2nm。
8.根据权利要求1所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，
在所述第1膜的成膜之后且在对所述钨膜进行成膜的工序之前还具有如下工序：向处理容器内供给WF6气体和SiH4气体而在所述基板的表面形成用于生成钨的核的初始钨膜。
9.根据权利要求8所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，
在形成所述初始钨膜的工序中，向处理容器内隔着吹扫气体的供给地交替供给WF6气体和SiH4气体。
10.根据权利要求8所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，
在形成所述初始钨膜的工序中，处理容器内的压力为1Torr-100Torr。
11.根据权利要求8所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，
所述初始钨膜的膜厚设为0.5nm-5nm。
12.根据权利要求1所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，
在所述第1膜的成膜之后且在对所述钨膜进行成膜的工序之前还具有如下工序：向处理容器内供给SiH4气体而对所述基板的表面进行处理。
13.根据权利要求1所述的钨膜的成膜方法，其特征在于，
不破坏真空地进行对所述第1膜进行成膜的工序和对所述钨膜进行成膜的工序。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
