[发明专利]一种高度择优取向的铌酸钾钠薄膜的制备方法在审
| 申请号: | 201910043148.6 | 申请日: | 2019-01-17 | 
| 公开(公告)号: | CN109650443A | 公开(公告)日: | 2019-04-19 | 
| 发明(设计)人: | 张伟;朱海勇;吴浩;张雪花;胡芳仁 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 | 
| 主分类号: | C01G33/00 | 分类号: | C01G33/00 | 
| 代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 吴飞 | 
| 地址: | 210023 *** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 制备 前驱体溶液 柠檬酸铌 择优取向 铌酸钾钠 过滤 退火 柠檬酸 络合反应 钠盐粉末 退火处理 预热处理 草酸铵 硅衬底 碱性PH 结晶性 凝胶法 氢氟酸 稳定剂 氧化铌 乙二醇 钾盐 衬底 称取 醇盐 滴加 硅基 晶向 均一 上旋 旋涂 洗涤 溶解 澄清 重复 改进 | ||
本发明公开一种高度择优取向的铌酸钾钠薄膜的制备方法,该方法步骤为:称取氧化铌溶解于氢氟酸得到NbF5溶液,随后加入草酸铵作为稳定剂,最后滴加碱性PH调试剂,得到白色沉淀Nb(OH)5;对白色沉淀进行洗涤过滤,加入柠檬酸使其于发生络合反应得到柠檬酸铌,随后再对柠檬酸铌进行进一步过滤;加入钾盐和钠盐粉末,再加入一定量的乙二醇,最后将溶液静置得到均一澄清的KNN前驱体溶液;然后在经过预热处理的硅基底上旋涂前驱体溶液并进行退火处理,重复多次旋涂退火得到理想的KNN薄膜。本发明通过改进溶胶‑凝胶法的非醇盐法和对硅衬底的处理,在普通(100)Si衬底上制备结晶性良好的KNN薄膜,且得到的KNN薄膜是在(001)晶向高度择优。
技术领域
本发明涉及一种高度择优取向的铌酸钾钠薄膜的制备方法,属于压电材料技术领域。
背景技术
压电材料是一种重要的功能材料,它具有的功能特性在电子技术、传感器、能量储存和驱动器等方面得到广泛的应用。随着MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)的研究发展,在压电功能器件的小型化和微型化和高集成等方面提出了要求。相比较于块体压电材料,压电薄膜在加工方便、调节度高、质量轻、驱动电压低和可平面集成化的方面的优点,更能满足MEMS对压电功能材料的要求。
制取KNN系薄膜的方法主要有四种,溅射法、溶胶凝胶法、化学气相沉积法和脉冲激光沉积法,相对于其他方法,溶胶凝胶法:要求设备简单,成本低,可制备大面积薄膜。溶胶凝胶法制备KNN系薄膜按原料来区分又细分为金属醇盐法和非醇盐法。金属醇盐法制取KNN系薄膜的材料乙醇铌相对价格昂贵,制约了量产的需求。非醇盐法制备材料价格便宜,能大大降低材料的成本。然而,一般非醇盐法制取的薄膜材料晶体多为多晶,且KNN薄膜与硅衬底粘附性差,需要对硅衬底进行镀SiO2层,制备成本高。
发明内容
发明目的:针对现有非醇盐法制备KNN系薄膜存在的晶体为多晶、KNN薄膜与硅衬底粘附性差等问题,本发明提供一种高度择优取向的铌酸钾钠薄膜的制备方法。
技术方案:本发明所述的一种高度择优取向的铌酸钾钠薄膜的制备方法,包括如下步骤:
(1)称取氧化铌溶解于氢氟酸得到NbF5溶液,向NbF5溶液中先加入草酸铵,待其溶解后滴加碱性PH调试剂,得到白色沉淀Nb(OH)5,用去离子水洗涤Nb(OH)5沉淀并过滤;
(2)将过滤后的Nb(OH)5与柠檬酸混合并加入去离子水,并搅拌至澄清;
(3)对步骤(2)所得澄清溶液进行过滤,获得澄清的过滤溶液;
(4)向步骤(3)所得过滤溶液中先加入钾盐和钠盐,待其溶解后调节PH值,加入乙二醇,静置、得到澄清透明的铌酸钾钠前驱体溶液;
(5)对硅片基底进行预热处理,然后在预热后的硅基底上旋涂所述铌酸钾钠前驱体溶液,得到表面覆有湿膜的硅片,放入真空干燥箱中保温,然后退火处理,得到铌酸钾钠薄膜。
上述步骤(1)中,优选的,将氧化铌加入氢氟酸中,在60~90℃水浴条件下加热7~12h使其溶解,然后加入草酸铵,继续在水浴条件下加热直至草酸铵溶解。最好在80℃水浴条件下先加热搅拌10h使氧化铌溶解在氢氟酸中,然后继续在80℃水浴条件下加热搅拌1h、使草酸铵溶解。其中,氧化铌与氢氟酸的用量最好满足如下比例:每5mL的氢氟酸中溶解1g氧化铌。
进一步的,步骤(1)中,滴加氨水调节溶液PH值为9,得到白色沉淀Nb(OH)5,将所得白色沉淀Nb(OH)5在60℃陈化0.5~2h。洗涤时,一般可用去离子水洗涤Nb(OH)5沉淀2~4次并过滤。
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