[发明专利]暂态电压抑制元件在审
| 申请号: | 201910042925.5 | 申请日: | 2019-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN111446691A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
| 发明(设计)人: | 陈志豪 | 申请(专利权)人: | 力智电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H02H3/087 | 分类号: | H02H3/087 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
| 地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电压 抑制 元件 | ||
1.一种暂态电压抑制元件,其特征在于,包括:
电源端;
接地端;
齐纳二极管,耦接于所述电源端与所述接地端之间,且所述齐纳二极管与所述电源端之间具有节点;
二极管串,具有第一端、第二端及输出输入端,所述第二端耦接所述接地端;以及
隔离元件,耦接于所述节点与所述第一端之间,其中当异常电流流经所述隔离元件,且单位时间内的所述异常电流的能量超过所述隔离元件的预设值时,所述隔离元件阻断所述异常电流的通路。
2.根据权利要求1所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,其中所述隔离元件包括电容器,所述预设值对应于所述电容器的饱和能量或电容值。
3.根据权利要求1所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,其中所述隔离元件包括熔断器,所述预设值对应于所述熔断器的额定值。
4.根据权利要求3所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,其中所述熔断器包括金属层、多晶硅层或其组合。
5.根据权利要求1所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,其中所述隔离元件包括彼此并联的多个熔断器,所述预设值对应于所述多个熔断器中的最大额定值。
6.根据权利要求1所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,其中所述隔离元件包括彼此串联的电容器与熔断器,所述预设值对应于所述电容器的饱和能量或所述熔断器的额定值中较小者。
7.根据权利要求1所述的暂态电压抑制元件,其特征在于,还包括反向驱动二极管耦接在所述节点与所述电源端之间。
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