[发明专利]一种CSP LED光源及其制作方法

权利要求书

1.一种CSP LED光源，其特征在于，包括芯片，所述芯片上依次设有第一粉胶层、第二粉胶层和第三粉胶层，第一粉胶层为发射峰值波长650-655nm的荧光粉和硅胶的混合层，所述第二粉胶层为发射峰值波长530-540nm的荧光粉和硅胶的混合层，所述第三粉胶层为波长495-500nm的荧光粉和硅胶的混合层，所述第一粉胶层的厚度为50-70μm，所述第二粉胶层的厚度为140-200μm，所述第三粉胶层的厚度为10-20μm，所述第一粉胶层、第二粉胶层和第三粉胶层的面积大于所述芯片的面积。

2.根据权利要求1所述的一种CSP LED光源，其特征在于，所述芯片为发射峰值波长447-455nm的蓝光芯片。

3.根据权利要求1所述的一种CSP LED光源，其特征在于，所述第一粉胶层的发射峰值波长650-655nm的荧光粉和硅胶的混合比例为0.055:2g；所述第二粉胶层的发射峰值波长530-540nm的荧光粉和硅胶的混合比例为0.68:2g；所述第三粉胶层的发射峰值波长495-500nm的荧光粉和硅胶混合比例为0.14:2g。

4.根据权利要求2所述的一种CSP LED光源，其特征在于，所述第一粉胶层、第二粉胶层和第三粉胶层的面积相等，所述芯片与所述第一粉胶层四边之间的边距范围为100-210μm。

5.一种CSP LED光源的制作方法，用于制作权利要求1-4中任意一项所述的一种CSPLED光源，其特征在于，具体制作步骤如下：

S1、选择发射峰值波长447-455nm的蓝光芯片，将蓝光芯片放置在高温膜上；

S2、将发射峰值波长650-655nm的荧光粉和硅胶加入稀释剂，按0.055:2:3g的比例混合后对蓝光芯片进行第一次喷涂，然后进行烘烤，烘烤后形成第一粉胶层，所述第一粉胶层的面积大于蓝光芯片的面积；

S3、将发射峰值波长530-540nm的荧光粉和硅胶加入稀释剂，按0.68:2:3g的比例混合后喷涂到第一粉胶层上，然后进行烘烤，烘烤后形成第二粉胶层；

S4、将发射峰值波长495-500nm的荧光粉、硅胶和稀释剂按0.14:2:3g的比例混合后喷涂到第二粉胶层上，然后进行烘烤，烘烤后形成第三粉胶层后降至常温，得到CSP LED光源；

S5、在第三粉胶层上放置UV膜后将CSP LED光源倒置对CSP LED光源进行裁剪，所述蓝光芯片与第一粉胶层四边之间的边距范围为100-210μm；

S6、对CSP LED光源按色温5000K中心坐标点X：0.346、Y：0.359的标准进行测试分类。

6.根据权利要求5所述的一种CSP LED光源的制作方法，其特征在于，S2中所述第一粉胶层的厚度为50-70μm，所述烘烤为在80°的温度下烘烤0.5小时后，再在150°的温度下烘烤1小时。

7.根据权利要求5所述的一种CSP LED光源的制作方法，其特征在于，S3中所述第二粉胶层的面积与所述第一粉胶层的面积相等，所述第二粉胶层的厚度为140-200μm，所述烘烤为在80°的温度下烘烤0.5小时后，再在150°的温度下烘烤1小时。

8.根据权利要求5所述的一种CSP LED光源的制作方法，其特征在于，S4中所述第三粉胶层的面积与所述第二粉胶层的面积相等，所述第三粉胶层的厚度为10-20μm，所述烘烤为在80°的温度下烘烤0.5小时后，在150°的温度下烘烤1小时，再在180°的温度下烘烤6小时，最后在100°的温度下烘烤1小时。