[发明专利]一种掩膜版有效

专利信息
申请号: 201910037540.X 申请日: 2019-01-15
公开(公告)号: CN109491219B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 郑立彬 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F1/68
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 掩膜版
【说明书】:

本申请公开了一种掩膜版,所述掩膜版包括:用于在显示面板上形成过孔的透光区域;所述透光区域的四周设有镂空区域,且所述镂空区域的宽度以及所述镂空区域与所述透光区域的间距均低于曝光机的解析精度,从而增加光的透过率,提高曝光机的解析能力。

技术领域

本申请涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种掩膜版。

背景技术

在目前TFT-LCD设计中,为提升TFT开口率,需将各层图案(Pattern)线路尽量微型化,其中PV层过孔(Though Hole)的开孔直径亦要求尽量小,因此掩膜版上的透光区域也会相应的设计较小,以达到高解析度的目的。

但当过孔直径接近曝光机解析极限,即掩膜版上相应的透光区域接近曝光机的解析极限时,曝光机解析困难,可能会产生盲孔。

发明内容

本申请实施例提供一种掩膜版,以解决现有掩膜版上的透光区域过小导致曝光机解析困难的问题。

本申请实施例提供了一种掩膜版,包括:用于在显示面板上形成过孔的透光区域;

所述透光区域的四周设有镂空区域,且所述镂空区域的宽度以及所述镂空区域与所述透光区域的间距均低于曝光机的解析精度。

进一步地,所述透光区域为方形。

进一步地,所述镂空区域包括四个第一子区域;

所述四个第一子区域与所述透光区域的四个边界一一对应设置。

进一步地,所述第一子区域为矩形;

每个第一子区域与其对应的透光区域边界平行设置,且四个第一子区域与所述透光区域的间距相等。

进一步地,每个第一子区域的宽度均低于曝光机的解析精度,且每个第一子区域与所述透光区域的间距均低于曝光机的解析精度。

进一步地,所述镂空区域还包括四个第二子区域;

所述四个第二子区域与所述透光区域的四个顶角一一对应设置。

进一步地,任意相邻的两个第一子区域之间具有一个第二子区域,且任意相邻的两个第一子区域与其之间的第二子区域相连通。

进一步地,所述第二子区域为方形;

每个第二子区域的一顶角与其对应的透光区域顶角连接。

进一步地,每个第二子区域的宽度均低于曝光机的解析精度。

进一步地,所述曝光机的解析精度为2um,每个第一子区域的宽度为0.5~1um,每个第一子区域与所述透光区域的间距为0.2~1.5um,每个第二子区域的宽度为0.5~1um。

本发明的有益效果为:在用于形成过孔的透光区域的四周设置镂空区域,以增加光的透过率,提高曝光机的解析能力,同时镂空区域的宽度以及镂空区域与透光区域的间距均低于曝光机的解析精度,以避免镂空区域在曝光时不会成像,从而在显示面板上形成满足最小尺寸要求的过孔。

附图说明

下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请实施例提供的掩膜版的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。

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