[发明专利]一种水培栽培方法

权利要求书

1.一种水培栽培方法，其特征在于，包括：

将基质块放入育苗板中进行目标物的播种；

将播种后的所述育苗板转移至育苗设备进行育苗，并在所述育苗设备中加入第一类营养液，所述第一类营养液具有第一电导率；

将所述目标物的幼苗从所述育苗设备转移至浅液流苗床，在所述浅液流苗床按照设定定植密度定植在定植板上，并将定植后的所述定植板放入在栽培苗床上，在所述栽培苗床中加入第二类营养液进行培育，所述第二类营养液具有第二电导率；

其中，所述第一导电率小于第二导电率。

2.根据权利要求1所述的水培栽培方法，其特征在于，所述设定定植密度包括：

行间距为9cm、株距为6cm；或者，

行间距为9cm、株距为10cm；或者，

行间距为2cm、株距为2.5cm；或者，

行间距为2cm、株距为3.5cm；或者，

行间距为4cm、株距为4.5cm；或者，

行间距为2.5cm、株距为7cm。

3.根据权利要求1所述的水培栽培方法，其特征在于，所述水培栽培方法还包括：

当所述目标物的叶片生长到符合第一设定标准后，直接进行切茎采收。

4.根据权利要求1所述的水培栽培方法，其特征在于，所述水培栽培方法还包括：

当所述目标物的叶片生长到符合第二设定标准后，将所述目标物的叶片全部采收；

自叶片采收完成，间隔设定天数后，当所述目标物的叶片生长到符合第一设定标准后，直接进行切茎采收。

5.根据权利要求1所述的水培栽培方法，其特征在于，所述第一电导率为1.2西门子/厘米，所述第二电导率为1.5-2.0西门子/厘米。

6.根据权利要求1所述的水培栽培方法，其特征在于，所述将所述播种后的所述育苗板转移至育苗设备进行育苗的步骤包括：

将所述播种后的育苗板放入到所述育苗设备的浸苗盘中；

向所述浸苗盘中加水，水位需要高出所述育苗板底部，暗处理浸泡。

7.根据权利要求6所述的水培栽培方法，其特征在于，在所述向所述浸苗盘中加水，水位需要高出所述育苗板底部，暗处理浸泡之后，还包括：

在育苗室进行催芽；

将催芽后的育苗板转移至育苗设备的育苗苗床内进行育苗。

8.根据权利要求7所述的水培栽培方法，其特征在于，

所述育苗室的白天温度为22度-25度，夜晚的温度为16-18度，所述育苗室内的相对湿度为50％-85％，所述育苗室内的二氧化碳浓度为800-1000μmol/mol，光照的光合有效光量子密度控制在100～300μmol m^-2s^-1。

9.根据权利要求7所述的水培栽培方法，其特征在于，

在育苗苗床内进行育苗时间为11天，育苗苗床的白天温度为15-26℃，夜间温度为10-18℃，湿度为60-80％。

10.根据权利要求1-9任一项所述的水培栽培方法，其特征在于，所述第一类营养液和所述第二类营养液的组成及标准浓度均为：氮150-200mg/L、磷45-62mg/L、钾235-360mg/L、钙100-160mg/L、镁24-50mg/L、硫25-30mg/L、铁1.1-1.5mg/L、锰0.11-0.74mg/L、锌0.15-0.34mg/L、铜0.10-0.26mg/L、硼0.27-0.35mg/L、钼0.06-0.11mg/L以及PH为5.8-6.5的硝酸和磷酸的混合液。