[发明专利]线路基板、堆叠式半导体组件及其制作方法

权利要求书

1.一种线路基板，其包括：

多个垂直连接通道，其侧向环绕一预定区域，其中每一所述垂直连接通道具有一顶端及一底端；

一树脂化合物，其填入所述垂直连接通道间的空间内，并侧向延伸进入该预定区域，以侧向环绕位于该预定区域处的一凹穴；

一路由电路，其包括交替轮流形成的至少一介电层及至少一线路层，其中该介电层覆盖该树脂化合物的一底面、该凹穴的一底部及所述垂直连接通道的所述底端，且该线路层通过该介电层中的金属化盲孔，电性连接至所述垂直连接通道的所述底端；以及

一穿孔，其对准该凹穴，并延伸贯穿该路由电路的该介电层。

2.如权利要求1所述的线路基板，其中，所述垂直连接通道为金属柱或金属引线。

3.如权利要求1所述的线路基板，其中，该路由电路的该线路层具有侧向延伸于该凹穴的该底部下方的选定部位。

4.如权利要求1至第3中任一项所述的线路基板，还包括：一金属垫，其邻接于该凹穴的该底部，且该穿孔更延伸穿过该金属垫。

5.如权利要求4所述的线路基板，其中，该路由电路的该线路层更通过该介电层中的额外金属化盲孔，连接至该金属垫。

6.如权利要求1至第3中任一项所述的线路基板，其中，该树脂化合物的该底面与所述垂直连接通道的所述底端及该凹穴的该底部呈共平面，且该路由电路的该介电层具有从该凹穴显露的一选定部位。

7.一种堆叠式半导体组件，其包括：

如权利要求1至第3中任一项所述的该线路基板；以及

一第一半导体元件，其设置于该线路基板的该凹穴中，并通过第一接合线，电性耦接至该线路基板，其中所述第一接合线延伸穿过该穿孔，且所述第一接合线通过该路由电路的该线路层，提供该第一半导体元件与所述垂直连接通道的所述底端间的电性连接。

8.如权利要求7所述的堆叠式半导体组件，其中，该线路基板还包括一金属垫，其邻接于该凹穴的该底部，且该第一半导体元件热性导通至该金属垫。

9.如权利要求8所述的堆叠式半导体组件，其中，该路由电路的该线路层更通过该介电层中的额外金属化盲孔，连接至该金属垫。

10.如权利要求7至第9中任一项所述的堆叠式半导体组件，还包括：一第二半导体元件，其贴附于该第一半导体元件的一顶面上，并通过第二接合线，电性耦接至所述垂直连接通道的所述顶端。

11.一种线路基板，其包括：

多个垂直连接通道，其侧向环绕一预定区域，其中每一所述垂直连接通道具有一顶端及一底端；

一树脂化合物，其填入所述垂直连接通道间的空间，并侧向延伸进入该预定区域，以侧向环绕位于该预定区域处的一凹穴，并覆盖该凹穴的一底部；

一传导层，其侧向延伸于该树脂化合物的一底面上，并电性连接至所述垂直连接通道；以及

一穿孔，其对准该凹穴，并延伸贯穿该树脂化合物。

12.如权利要求11所述的线路基板，其中，所述垂直连接通道为金属柱或金属引线。

13.如权利要求11所述的线路基板，其中，该传导层具有侧向延伸于该凹穴的该底部下方的选定部位。

14.如权利要求11所述的线路基板，其中，该树脂化合物的该底面与所述垂直连接通道的所述底端呈共平面。

15.如权利要求11所述的线路基板，其中，该树脂化合物更覆盖所述垂直连接通道的所述底端，且该传导层通过该树脂化合物中的金属化盲孔，电性连接至所述垂直连接通道。