[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910028201.5 | 申请日: | 2019-01-11 |
公开(公告)号: | CN109659349B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 王国英;宋振 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,用以提高显示产品的显示效果以及提高谐振腔的制作良率。本申请实施例提供的一种阵列基板,该阵列基板具有多种发光颜色的子像素单元;各所述子像素单元包括由相对设置的反射层和阴极形成的谐振腔,所述谐振腔还包括:位于所述反射层和所述阴极之间的阳极,以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光功能层;相同发光颜色的所述子像素单元的谐振腔的长度相同,且不同发光颜色的所述子像素单元的谐振腔的长度不同;不同发光颜色的所述子像素单元的所述阳极的厚度相同,不同发光颜色的所述子像素单元的所述发光功能层的厚度相同。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)由于具有自发光、高效率、低工作电压、轻薄、可柔性化等优点,在显示等领域应用广泛。一般有机发光材料的发射带比较宽,光谱半峰全宽大约在100纳米左右,这对于实现全色显示所要求的饱和色有一定的差距。为了提高全色显示的效果,在器件中引入光学谐振腔的方法被证明是一种很好的方法。与普通的有机发光器件相比,具有谐振腔的有机发光器件可以获得单色性较好的发光,实现窄带发射,发射强度增强,并对发射波长有选择性作用。现有技术具有谐振腔的有机发光器件的阳极材料需要包含反射率较高的金属,反射阳极通常是三层的堆栈结构,如氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/ITO等。现有技术为了使得不同颜色子像素的谐振腔的腔长不同,通过在不同颜色的子像素的反射金属之上设置不同厚度的ITO来实现。而ITO难以形成较厚的膜层,限制谐振腔的腔长多样性,限制提高全色显示效果。并且在刻蚀形成不同厚度的ITO的工艺中,容易出现ITO刻蚀残留或过刻的问题,影响谐振腔的良率。综上,现有技术形成不同腔长的谐振腔的方案限制提高全色显示效果且影响谐振腔的制作良率。
发明内容
本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,用以提高显示产品的显示效果以及提高谐振腔的制作良率。
本申请实施例提供的一种阵列基板,该阵列基板具有多种发光颜色的子像素单元;各所述子像素单元包括由相对设置的反射层和阴极形成的谐振腔,所述谐振腔还包括:位于所述反射层和所述阴极之间的阳极,以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光功能层;
相同发光颜色的所述子像素单元的谐振腔的长度相同,且不同发光颜色的所述子像素单元的谐振腔的长度不同;不同发光颜色的所述子像素单元的所述阳极的厚度相同,不同发光颜色的所述子像素单元的所述发光功能层的厚度相同。
本申请实施例提供的阵列基板,不同发光颜色的子像素单元的阳极的厚度相同,不同发光颜色的子像素单元的发光功能层的厚度相同,即本申请实施例提供的阵列基板,通过设置不同发光颜色的子像素单元中除了发光功能层和阳极之外谐振腔膜层具有不同的厚度,来实现不同发光颜色的所述子像素单元的谐振腔的长度不同,这样,由于无需通过设置不同厚度的阳极从而不会出现阳极刻蚀残留或过刻的问题,不会影响谐振腔的制作良率。并且,通过设置不同发光颜色的子像素单元中除了发光功能层和阳极之外谐振腔膜层具有不同的厚度,还可以实现谐振腔的腔长的多样性,提高显示产品全色显示的效果。
可选地,所述谐振腔还包括位于所述反射层和所述阳极之间的绝缘层。
本申请实施例提供的阵列基板,由于反射层和阳极之间设置有绝缘层,从而阳极的功函数不会被反射层拉底,可以降低OLED的开启电压,进而可以降低显示产品的功耗。并且反射层和阳极之间设置有绝缘层还可以改善阳极材料的表面粗糙度,提升器件的寿命。
可选地,不同发光颜色的所述子像素单元的所述反射层的厚度不相同和/或,不同发光颜色的所述子像素单元的所述绝缘层的厚度不相同。
可选地,所述阵列基板还包括薄膜晶体管,所述反射层整层设置且具有露出所述薄膜晶体管的漏极的过孔,所述阳极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的