[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910028201.5 | 申请日: | 2019-01-11 |
公开(公告)号: | CN109659349B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 王国英;宋振 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,该阵列基板具有多种发光颜色的子像素单元;各所述子像素单元包括由相对设置的反射层和阴极形成的谐振腔,所述谐振腔还包括:位于所述反射层和所述阴极之间的阳极,以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光功能层;
相同发光颜色的所述子像素单元的谐振腔的长度相同,且不同发光颜色的所述子像素单元的谐振腔的长度不同;不同发光颜色的所述子像素单元的所述阳极的厚度相同,不同发光颜色的所述子像素单元的所述发光功能层的厚度相同;
所述阵列基板还包括薄膜晶体管,所述反射层整层设置且具有露出所述薄膜晶体管的漏极的过孔,所述阳极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述谐振腔还包括位于所述反射层和所述阳极之间的绝缘层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,不同发光颜色的所述子像素单元的所述反射层的厚度不相同和/或,不同发光颜色的所述子像素单元的所述绝缘层的厚度不相同。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述反射层的材料为金属。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阳极的材料为氧化铟锡。
6.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,该方法包括:
在衬底上形成多种发光颜色的子像素单元;其中,各所述子像素单元包括由相对设置的反射层和阴极形成的谐振腔,所述谐振腔还包括:位于所述反射层和所述阴极之间的阳极,以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光功能层;相同发光颜色的所述子像素单元的谐振腔的长度相同,且不同发光颜色的所述子像素单元的谐振腔的长度不同;不同发光颜色的所述子像素单元的所述阳极的厚度相同,不同发光颜色的所述子像素单元的所述发光功能层的厚度相同;
所述衬底包括薄膜晶体管像素电路,在所述衬底之上依次形成反射层、绝缘层、阳极、发光功能层、阴极,具体包括:
在所述薄膜晶体管像素电路之上形成金属反射层,所述金属反射层具有露出所述薄膜晶体管漏极的过孔;
在所述金属反射层之上形成绝缘层,所述绝缘层具有露出所述薄膜晶体管漏极的过孔;
采用干法刻蚀工艺处理所述绝缘层,使得不同发光颜色的所述子像素单元的所述绝缘层的厚度不相同;
在所述绝缘层之上形成阳极,所述阳极通过所述绝缘层的过孔以及所述金属反射层的过孔与所述薄膜晶体管漏极电连接;
在所述阳极之上依次形成发光功能层、阴极。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在所述衬底上形成多种发光颜色的子像素单元,具体包括:
在所述衬底之上依次形成反射层、绝缘层、阳极、发光功能层、阴极;
其中,不同发光颜色的所述子像素单元的所述反射层的厚度不相同,和/或不同发光颜色的所述子像素单元的所述绝缘层的厚度不相同。
8.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1~5任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的