[发明专利]一种耐高温石花菜的培育方法有效
| 申请号： | 201910027244.1 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN109644859B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 沈颂东;袁安祥 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | A01G33/00 | 分类号： | A01G33/00;A01G7/04 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 查杰 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 耐高温 石花菜 培育 方法 | ||
1.一种耐高温石花菜的培育方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）选取藻体附着生物少、生长点完整、色泽鲜艳的整颗石花菜，进行培养；
（2）将步骤（1）培养的石花菜通过γ射线辐照处理50~70min，然后暗处理20~25h，更换培养基；
（3）将步骤（2）暗处理后的石花菜置于38~40℃，水浴胁迫25~35min；
（4）将步骤（3）处理后的石花菜置于34~36℃，光照胁迫培养90-100h，收集存活藻体的藻尖；
（5）将步骤（4）收集的藻尖置于20~25oC，光照培养3~5周，4~6天更换一次培养基；
（6）将经过步骤（5）培养后的藻尖置于30~34℃进行光照培养，4~6天更换一次培养基；筛选生长速度快，分枝多的耐高温石花菜；
在步骤（4）中，光照的条件为光照强度2000~3000 lux，光照周期10~14h；
在步骤（5）中，光照强度为2000~3000lux，光照周期为10~14h；
在步骤（6）中，光照强度为2000~3000lux，光照周期为10~14h。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的γ射线的辐照剂量为500~900Gy。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤（4）中，所述的藻尖的长度为2~5cm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的培养基为海水培养基。
5.一种权利要求1~4任一项所述的方法培育得到的耐高温石花菜。
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