[发明专利]无镉量子点及其制备方法、无镉量子点组合物

权利要求书

1.一种无镉量子点，包括量子点核，其特征在于，所述量子点核为InPSe或InPS；还包括包覆在所述量子点核外的壳层，所述壳层选自以下多层的组合：InZnP、InZnPSe、InZnPS、InZnSe、InZnS、InZnSeS、ZnSe、ZnSeS、ZnS。

2.一种无镉量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，提供III族元素前体混合物、V族元素前体混合物以及VI族元素前体混合物；

S2a，在第一温度下将所述III族元素前体混合物与所述V族元素前体混合物混合，升温或降温至第二温度后加入所述VI族元素前体混合物进行反应形成量子点核，所述第一温度为室温～310℃，所述第二温度为150～310℃；

或者，S2b，在第一温度下将所述III族元素前体混合物与所述VI族元素前体混合物混合，加入所述V族元素前体混合物，升温至第二温度后进行反应形成量子点核，所述第一温度为100～200℃，所述第二温度为200～310℃；

或者，S2c，在第三温度下将所述III族元素前体混合物、所述VI族元素前体混合物与所述V族元素前体混合物混合，然后升温至第四温度进行反应形成量子点核，所述第三温度为室温～150℃，所述第四温度为150～310℃；

所述步骤S2a或S2b或S2c之后还包括以下步骤：

S3，向包含所述量子点核的溶液中加入II族元素前体和VI族元素前体，或者加入II族元素前体、III族元素前体和VI族元素前体，或者加入II族元素前体、III族元素前体和V族元素前体，或者加入II族元素前体、III族元素前体、V族元素前体和VI族元素前体，从而在所述量子点核外包覆上壳层；所述II族元素前体为锌元素的前体，所述VI族元素前体为硫元素和/或硒元素的前体，所述III族元素前体为铟元素的前体，所述V族元素前体为磷元素的前体。

3.根据权利要求2所述的无镉量子点的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2a或S2b或S2c之后，且在所述步骤S3之前还包括以下步骤：从步骤S2a或S2b或S2c反应后的溶液中提纯所述量子点核，并将所述量子点核分散于溶剂中。

4.根据权利要求2或3所述的无镉量子点的制备方法，其特征在于，所述III族元素前体混合物通过以下方法制得：将III族元素前体、第一配体以及溶剂混合加热至150～200℃；

所述V族元素前体混合物通过以下方法制得：将V族元素前体、第二配体以及溶剂混合；

所述VI族元素前体混合物通过以下方法制得：将VI族元素前体与溶剂混合。

5.一种无镉量子点组合物，包括权利要求1所述的无镉量子点或者包括由权利要求2-4任意一所述的无镉量子点的制备方法制得的无镉量子点。