[发明专利]用于介电层的应力调制

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

分别蚀刻伪栅极堆叠件的第一部分和第二部分以形成第一开口和第二开口；

沉积第一氮化硅层以填充所述第一开口和所述第二开口，其中，沉积所述第一氮化硅层包括包含利用氮注入所述第一氮化硅层的第一工艺，其中，所述第一氮化硅层具有中性应力；

蚀刻所述伪栅极堆叠件的第三部分以形成沟槽；

蚀刻位于所述第三部分下方的半导体鳍，以将所述沟槽向下延伸到半导体衬底的位于所述伪栅极堆叠件下方的主体部分中；以及

将第二氮化硅层沉积到所述沟槽中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一工艺还包括使用氢自由基处理所述第一氮化硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，沉积所述第一氮化硅层包括原子层沉积(ALD)，并且在每个原子层沉积循环中实施所述处理。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，沉积所述第一氮化硅层包括原子层沉积(ALD)，并且每多个原子层沉积循环实施一次所述处理。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一氮化硅层还包括用氩气轰击所述第一氮化硅层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，沉积所述第一氮化硅层包括原子层沉积(ALD)，并且所述原子层沉积包括多个原子层沉积循环，并且在多个所述原子层沉积循环中的每个之后实施所述轰击。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一氮化硅层包括化学汽相沉积(CVD)，并且所述注入包括多个注入工艺，在沉积所述第一氮化硅层的子层之后实施每个所述注入工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第二氮化硅层包括从使用氢自由基处理所述第二氮化硅层、注入所述第二氮化硅层及它们的组合中选择的第二工艺。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述伪栅极堆叠件上沉积第三氮化硅层，其中，沉积所述第三氮化硅层不包括使用氢自由基处理所述第三氮化硅层，并且不包括注入所述第三氮化硅层。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

在位于晶圆中的半导体鳍上形成伪栅极堆叠件，其中，所述半导体鳍比位于所述半导体鳍的相对侧上的隔离区突出得更高；

蚀刻所述伪栅极堆叠件以形成开口；以及

在工艺室中，使用原子层沉积(ALD)用氮化硅层填充所述开口，其中，所述原子层沉积包括第一多个原子层沉积循环，每个循环包括：

将含硅前体引入到所述工艺室中；

净化所述工艺室中的所述含硅前体；

将氢自由基引入到所述工艺室中；

净化所述工艺室中的所述氢自由基；

将含氮前体引入到所述工艺室中；以及

净化所述工艺室中的所述含氮前体，

其中，所述原子层沉积还包括第二多个原子层沉积循环，其中，所述第二多个原子层沉积循环中的每个不包括将所述氢自由基引入到所述工艺室中，其中，所述氮化硅层具有中性应力。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括，使用工艺气体产生氢自由基，其中，所述工艺气体不含硅和氮。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一多个原子层沉积循环和所述第二多个原子层沉积循环中的一个包括将氩气轰击到所述氮化硅层中。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在从所述第一多个原子层沉积循环和所述第二多个原子层沉积循环中选择的多个工艺中的每个之后，将氩气轰击到所述氮化硅层中。