[发明专利]具有可控间隙的扇出封装件

说明书

方法包括形成中介层，形成中介层包括形成刚性介电层；以及去除部分刚性介电层。该方法还包括将封装组件接合至互连结构，以及将中介层接合至互连结构。中介层中的间隔件具有接触封装组件的顶面的底面，并且间隔件包括选自由金属部件、刚性介电层和它们的组合组成的组中的部件。对互连结构实施管芯锯切。本发明实施例涉及具有可控间隙的扇出封装件。

技术领域

本发明实施例涉及具有可控间隙的扇出封装件。

背景技术

随着半导体技术的进步，半导体芯片/管芯变得越来越小。同时，更多功能需要集成在半导体管芯内。因此，半导体管芯需要将越来越多的I/O焊盘封装至更小的区内，并且I/O焊盘的密度随着时间迅速提升。因此，半导体管芯的封装变得更加困难，这不利地影响了封装的良率。

传统的封装技术可以分为两类。在第一类中，晶圆上的管芯在它们被锯切之前封装。这种封装技术具有一些有利特征，诸如更大的生产量和更低的成本。此外，需要较少的底部填充物或模塑料。然而，这种封装技术也具有缺陷。由于管芯的尺寸变得越来越小，并且相应的封装件仅可以是扇入型封装件，其中，每个管芯的I/O焊盘限制于相应的管芯的表面正上方的区域。由于管芯的面积有限，I/O焊盘的数量由于I/O焊盘的间距的限制而受到限制。如果焊盘的间距减小，则可能发生焊料桥接。此外，焊球必须具有特定的尺寸，这进而限制了可以封装在管芯表面上的焊球的数量。

在另一类封装中，在封装管芯之前从晶圆锯切管芯。该封装技术的有利特征是可能形成扇出封装件，这意味着管芯上的I/O焊盘可以分布至比管芯更大的区域，并且因此可以增加封装在管芯的表面上的I/O焊盘的数量。该封装技术的另一有利特征是封装“已知良好管芯”，以及丢弃缺陷管芯，并且因此不会在缺陷管芯上浪费成本和精力。扇出封装件经受翘曲。这导致扇出封装件难以接合至封装衬底，并且相应的焊料连接可能失效。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括：形成中介层，包括：形成刚性介电层；以及去除所述刚性介电层的部分；将封装组件接合至互连结构；将所述中介层接合至所述互连结构，其中，所述中介层中的间隔件具有接触所述封装组件的顶面的底面，并且所述间隔件包括选自由金属部件、所述刚性介电层和它们的组合组成的组中的部件；以及对所述互连结构实施管芯锯切。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成封装件的方法，包括：形成中介层，包括：在第一载体上方镀金属间隔件；形成介电层以将所述金属间隔件嵌入在所述介电层内；在所述介电层上方形成衬底；形成穿透所述衬底的通孔；在所述通孔上方形成电连接至所述通孔的多个第一再分布线；去除所述第一载体以露出所述介电层；以及图案化所述介电层以去除所述介电层的第一部分，其中，所述介电层的第二部分保留；在第二载体上方形成互连结构；将封装组件接合至所述互连结构；以及将所述中介层接合至所述互连结构，其中，所述金属间隔件和所述介电层的第二部分将所述封装组件与所述衬底间隔开。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种封装件，包括：互连结构，包括接合焊盘；封装组件，位于所述互连结构上方并且接合至所述互连结构；中介层，位于所述互连结构上方并且接合至所述互连结构，所述中介层包括：金属部件，覆盖所述封装组件；刚性介电层，将所述金属部件密封在所述刚性介电层中；再分布线，位于所述刚性介电层上方；以及导电部件，接合至所述互连结构，其中，所述导电部件电连接至所述互连结构中的接合焊盘；以及密封剂，接触所述刚性介电层的侧壁和所述封装组件的顶面。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图11A示出了根据一些实施例的中介层的形成中的中间阶段的截面图。

图11B、图11C和图11D示出了根据一些实施例的中介层的截面图。