[发明专利]具有可控间隙的扇出封装件有效
申请号: | 201910023923.1 | 申请日: | 2019-01-10 |
公开(公告)号: | CN110660725B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 蔡柏豪;翁得期;周孟纬;林孟良;庄博尧;郑心圃 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/538 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 可控 间隙 封装 | ||
1.一种形成封装件的方法,包括:
形成中介层,包括:
形成刚性介电层;以及
去除所述刚性介电层的部分;
将封装组件接合至互连结构;
将所述中介层接合至所述互连结构,其中,所述中介层与所述封装组件和所述互连结构之间具有间隙,其中,所述中介层中的间隔件具有接触所述封装组件的顶面的底面,并且所述间隔件包括选自由所述刚性介电层和所述刚性介电层与金属部件的组合组成的组中的部件,其中,所述中介层与所述封装组件之间的所有的所述间隔件连续地位于所述间隙的中心部分;以及
对所述互连结构实施管芯锯切。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:在载体上形成所述互连结构,当所述互连结构位于所述载体上时,所述封装组件接合至所述互连结构。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括:
形成所述金属部件,其中,所述刚性介电层形成为使所述金属部件嵌入在所述刚性介电层内;以及
实施平坦化工艺以使所述金属部件的表面与所述刚性介电层的表面齐平。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述刚性介电层包括彼此相对的第一表面和第二表面,并且所述刚性介电层包括第一部分以及在所述第一部分相对侧上的第二部分和第三部分,其中所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分中的每一个从所述第一表面延伸到所述第二表面,并且其中,所述去除所述刚性介电层的部分,包括去除所述第二部分和所述第三部分。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述金属部件是穿透所述刚性介电层的贯通部件。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,在去除所述刚性介电层的部分时,去除所述刚性介电层的第一部分,并且留下所述刚性介电层的第二部分不被去除。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述封装组件包括器件管芯,所述器件管芯包括半导体衬底,其中,所述间隔件与所述半导体衬底的顶面物理接触。
8.一种形成封装件的方法,包括:
形成中介层,包括:
在第一载体上方镀金属间隔件;
形成介电层以将所述金属间隔件嵌入在所述介电层内;
在所述介电层上方形成衬底;
形成穿透所述衬底的通孔;
在所述通孔上方形成电连接至所述通孔的多个第一再分布线;
去除所述第一载体以露出所述介电层;以及
图案化所述介电层以去除所述介电层的第一部分,其中,所述介电层的第二部分保留;
在第二载体上方形成互连结构;
将封装组件接合至所述互连结构;以及
将所述中介层接合至所述互连结构,其中,所述金属间隔件和所述介电层的第二部分将所述封装组件与所述衬底间隔开。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,形成所述中介层还包括在所述金属间隔件上形成焊料区域。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述封装组件包括:
半导体衬底;以及
毯式金属层,位于所述半导体衬底上方,其中,当所述中介层接合至所述互连结构时,所述焊料区域同时接合至所述毯式金属层。
11.根据权利要求8所述的方法,还包括:
在所述介电层上形成多个金属焊盘;以及
在所述中介层上形成多个金属柱,其中,所述通孔和所述多个金属柱位于所述多个金属焊盘的相对表面上;以及
形成多个焊料区域,所述多个焊料区域的每个均位于所述多个金属柱中的一个上。
12.根据权利要求8所述的方法,还包括:
在所述介电层上形成多个金属焊盘;以及
在所述中介层上形成多个焊料区域,其中,所述通孔和所述多个焊料区域位于所述多个金属焊盘的相对表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造