[发明专利]测试条件决定装置及测试条件决定方法

说明书

目的在于提供一种能够决定恰当的测试条件的技术。测试条件决定装置(1)具备图谱创建部(11)、耐压推定部(12)、测试条件决定部(13)。图谱创建部(11)基于外延生长层的厚度的测定值、外延生长层的载流子浓度的测定值、以及外延生长层及衬底的结晶缺陷的测定结果，对与芯片(22)相关的晶圆图(25)进行创建。耐压推定部(12)基于晶圆图(25)对芯片(22)的耐压进行推定。测试条件决定部(13)基于耐压推定部(12)的推定结果决定应运用于芯片(22)的测试条件。

技术领域

本发明涉及决定测试条件的测试条件决定装置、以及测试条件决定方法。

背景技术

为了提高半导体装置的品质，提出了各种对配置有外延生长层的衬底进行测试的技术(例如专利文献1)。通常，包含衬底和外延生长层的半导体元件的耐压测试是通过使探针与设置于半导体元件表面的电极接触而进行的。

专利文献1：日本特开2011-258683号公报

但是，在外延生长层及衬底的结晶缺陷的每单位面积的个数超过一定值的情况下，半导体元件的耐压会降低。存在如下问题，即，如果对耐压降低后的半导体元件进行额定最大值的耐压测试，则半导体元件有时会损坏，此时，会使测试仪侧的电极(工作台)、探针等损坏。

发明内容

因此，本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够决定恰当的测试条件的技术。

本发明涉及的测试条件决定装置具备：图谱创建部，其基于配置有外延生长层的衬底的多个点处的所述外延生长层的厚度的测定值、所述外延生长层的载流子浓度的测定值、以及所述外延生长层及所述衬底的结晶缺陷的测定结果，对与芯片相关的晶圆图进行创建；耐压推定部，其基于由所述图谱创建部创建出的晶圆图对所述芯片的耐压进行推定；以及测试条件决定部，其基于所述耐压推定部的推定结果决定应运用于所述芯片的测试条件。

发明的效果

根据本发明，基于外延生长层的厚度的测定值、外延生长层的载流子浓度的测定值、以及外延生长层及衬底的结晶缺陷的测定结果对晶圆图(wafer map)进行创建，基于创建出的晶圆图对芯片的耐压进行推定，基于该推定结果决定应运用于芯片的测试条件。由此，能够决定恰当的测试条件。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的测试条件决定装置的结构的框图。

图2是示意性地表示实施方式1涉及的测试条件决定装置的动作的图。

图3是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的流程图。

图4是用于对实施方式1的变形例2涉及的测定进行说明的图。

图5是用于对实施方式1的变形例2涉及的测定进行说明的图。

图6是表示实施方式1的变形例3涉及的半导体装置的制造方法的流程图。

图7是表示实施方式1的变形例3涉及的半导体装置的制造方法的流程图。

标号的说明

1测试条件决定装置，11图谱创建部，12耐压推定部，13测试条件决定部，22芯片，25晶圆图。

具体实施方式

实施方式1

图1是本发明的实施方式1涉及的测试条件决定装置1的结构的框图。测试条件决定装置1为针对配置有外延生长层的衬底的芯片决定测试条件的装置。测试条件决定装置1例如针对配置有n型碳化硅(SiC)外延生长层的、与该外延生长层相比杂质浓度高的n型碳化硅(SiC)衬底的芯片而决定测试条件。此外，在以下说明中，晶片与衬底的意思相同，芯片与半导体元件的意思相同。

如图1所示，测试条件决定装置1具备图谱创建部11、耐压推定部12以及测试条件决定部13。