[发明专利]测试条件决定装置及测试条件决定方法

权利要求书

1.一种测试条件决定装置，其具备：

图谱创建部，其基于配置有外延生长层的衬底的多处的所述外延生长层的厚度的测定值、所述外延生长层的载流子浓度的测定值、以及所述外延生长层及所述衬底的结晶缺陷的测定结果，对与芯片相关的晶圆图进行创建；

耐压推定部，其基于由所述图谱创建部创建出的晶圆图对所述芯片的耐压进行推定；以及

测试条件决定部，其基于所述耐压推定部的推定结果决定应运用于所述芯片的测试条件。

2.根据权利要求1所述的测试条件决定装置，其中，

所述外延生长层的厚度是通过使用了傅里叶变换红外分光光度计的反射干渉解析进行测定的，

所述外延生长层的载流子浓度是通过使用了水银电极的C-V特性测定方法进行测定的，

所述外延生长层及所述衬底的结晶缺陷是通过X射线形貌法进行测定的。

3.根据权利要求1或2所述的测试条件决定装置，其中，

作为所述测试条件的决定，所述测试条件决定部决定是否实施高耐压测试。

4.一种测试条件决定方法，其具备下述工序：

工序(a)，基于配置有外延生长层的衬底的多处的所述外延生长层的厚度的测定值、所述外延生长层的载流子浓度的测定值、以及所述外延生长层及所述衬底的结晶缺陷的测定结果，对与芯片相关的晶圆图进行创建；

工序(b)，基于由所述工序(a)创建出的晶圆图对所述芯片的耐压进行推定；以及

工序(c)，基于所述工序(b)的推定结果决定应运用于所述芯片的测试条件。

5.根据权利要求4所述的测试条件决定方法，其中，

在依次进行了向所述外延生长层及所述衬底的至少一者的离子注入、用于结晶性恢复的退火后，对所述外延生长层及所述衬底的结晶缺陷进行测定。

6.根据权利要求4所述的测试条件决定方法，其中，

在依次进行了向所述外延生长层及所述衬底的至少一者的离子注入、用于结晶性恢复的退火、退火用保护膜的去除后，对所述外延生长层及所述衬底的结晶缺陷进行测定。