[发明专利]一种陶瓷基板的金属化方法在审
| 申请号: | 201910019641.4 | 申请日: | 2019-01-09 |
| 公开(公告)号: | CN111430245A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
| 发明(设计)人: | 姜永京;刘南柳;王琦;张国义;徐忱文 | 申请(专利权)人: | 北京大学东莞光电研究院 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/492;C04B41/51 |
| 代理公司: | 东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙) 44412 | 代理人: | 邓燕 |
| 地址: | 523808 广东省东莞市松*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 陶瓷 金属化 方法 | ||
本发明涉及一种陶瓷基板的金属化方法,包括如下步骤:首先,根据预设的导电线路参数在陶瓷基板表面进行图案化处理以在陶瓷基板表面形成有预设深度与宽度的线路图案;然后,在经过图案化处理的陶瓷基板表面制备过渡金属层和加厚金属层;之后,将陶瓷基板表面的非线路图案部分的金属层除去,以得到填充于陶瓷基板内的导电金属线路,进行表面处理后,最终得到平整光滑的高精度陶瓷线路板;本发明通过预先在陶瓷基板上制备预设深度和宽度的线路图案,将线路图案深入到陶瓷基板内部,可高精度控制金属化过程中的导电金属线路的宽度与厚度,从而得到高精细化导电金属线路,同时,本发明的导电金属线路填充于陶瓷基板的线路图案内也提高了散热效率。
技术领域
本发明涉及陶瓷基板加工技术领域,特别是涉及一种陶瓷基板的金属化方法。
背景技术
随着电子产品向轻、薄、小、高密度、多功能化发展,大规模集成电路集成度越来越高,封装元件密度和功率也越来越大。因此,对封装基板布置与导电线路精细度要求也越来越高。目前,陶瓷基板金属化的制法主要有厚膜法与薄膜法两种。厚膜法使用网印方法印制线路,在高温或者低温共烧陶瓷被广泛使用,但采用网印方式制成的厚膜线路具有线径宽度不够精细、以及张网而导致的线路精准度不足等问题,对于力求精细的高密度线路而言其精细度不能满足市场需求。薄膜法,即先在基板上溅射上钛层与铜层,再通过曝光、显影、电镀、蚀刻等工艺来完成导电线路,虽然解决了线路精细度的问题,但是,工艺流程复杂成本居高不下,使用的化学品种类繁多对环境污染大。
中国发明专利申请说明书CN108337812A公开一种在基板上制备金属化线路的方法,包括以下步骤:对清洗后的基板上进行表面双疏处理,在基板表面形成厚度为0.1~1000nm厚的双疏改性层;在基板的预定线路区域内去除或破坏双疏层结构,实现导电线路图案化,形成线路图案化层;在基板上制备边界整齐、线宽可控的导电线路,形成导电金属线路层;最后对基板进行表面处理,得到具有光亮、平整的导电金属线路层的基板;但采用上述方法对陶瓷基板进行金属化处理,需首先对陶瓷基板进行双疏处理形成双疏改性层之后,再对双疏改性层进行图案化处理,而最终形成的导电金属线路仅是在陶瓷表面,无法深入到陶瓷内部,且导电金属线路的精细度和散热效率也亟需进一步提高。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种陶瓷基板的金属化方法,其通过预先在陶瓷基板上制备预定深度与宽度的线路图案,金属化处理形成的导电金属线路填充于陶瓷基板的线路图案内,可大大提高了导电金属线路的精细度和散热效率。
为解决上述目的,本发明采用的如下技术方案。
一种陶瓷基板的金属化方法,包括如下步骤:K1,根据预设的导电线路参数在陶瓷基板表面进行图案化处理以在陶瓷基板表面形成有预设深度与宽度的线路图案;K2,在经过步骤K1图案化处理的陶瓷基板表面制备过渡金属层;K3,在获得过渡金属层的陶瓷基板表面通过上镀方式形成加厚金属层;K4,将陶瓷基板表面的非线路图案部分的过渡金属层和加厚金属层完全除去,以得到填充于陶瓷基板内的导电金属线路;K5,对步骤K4中的导电金属线路进行表面处理以在导电金属层表面形成封装基板,最终得到平整光滑的高精度陶瓷线路板。
优选地,步骤K1中的图案化处理包括但不限于激光标刻处理、化学蚀刻处理、光刻处理、压印处理和磨削处理的一种或者多种的结合。
优选地,步骤K1中的图案化处理的线路图案包括但不限于所需要的线路图或所需要的导通孔。
优选地,陶瓷基板包括但不限于由氧化锆、氮化铝和氧化铝的一种或多种制备得到的陶瓷材料。
优选地,在步骤K2中过渡金属层的制备包括但不限于通过溅射工艺、蒸镀工艺、电弧沉积工艺和烧结工艺的一种或多种结合方式获得。
优选地,步骤K3中的上镀方式包括但不限于化学镀方式和电镀方式的一种或多种的结合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





