[发明专利]一种陶瓷基板的金属化方法在审
| 申请号: | 201910019641.4 | 申请日: | 2019-01-09 |
| 公开(公告)号: | CN111430245A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
| 发明(设计)人: | 姜永京;刘南柳;王琦;张国义;徐忱文 | 申请(专利权)人: | 北京大学东莞光电研究院 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/492;C04B41/51 |
| 代理公司: | 东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙) 44412 | 代理人: | 邓燕 |
| 地址: | 523808 广东省东莞市松*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 陶瓷 金属化 方法 | ||
1.一种陶瓷基板的金属化方法,其特征在于,包括如下步骤:
K1,根据预设的导电线路参数在陶瓷基板表面进行图案化处理以在陶瓷基板表面形成有预设深度与宽度的线路图案;
K2,在经过步骤K1图案化处理的陶瓷基板表面制备过渡金属层;
K3,在获得过渡金属层的陶瓷基板表面通过上镀方式形成加厚金属层;
K4,将陶瓷基板表面的非线路图案部分的过渡金属层和加厚金属层完全除去,以得到填充于陶瓷基板内的导电金属线路;
K5,对步骤K4中的导电金属线路进行表面处理以在导电金属层表面形成封装基板,最终得到平整光滑的高精度陶瓷线路板。
2.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板的金属化方法,其特征在于,步骤K1中的图案化处理包括但不限于激光标刻处理、化学蚀刻处理、光刻处理、压印处理和磨削处理的一种或者多种的结合。
3.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板的金属化方法,其特征在于,步骤K1中的图案化处理的线路图案包括但不限于所需要的线路图或所需要的导通孔。
4.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板的金属化方法,其特征在于,陶瓷基板包括但不限于由氧化锆、氮化铝和氧化铝的一种或多种制备得到的陶瓷材料。
5.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板的金属化方法,其特征在于,在步骤K2中过渡金属层的制备包括但不限于通过溅射工艺、蒸镀工艺、电弧沉积工艺和烧结工艺的一种或多种结合方式获得。
6.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板的金属化方法,其特征在于,步骤K3中的上镀方式包括但不限于化学镀方式和电镀方式的一种或多种的结合。
7.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板的金属化方法,其特征在于,在K5步骤中的过渡金属层和加厚金属层的去除方式包括但不限于机械磨削方式、化学研磨抛光方式和蚀刻方式的一种或多种的结合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





