[发明专利]阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201910016329.X | 申请日: | 2019-01-08 |
公开(公告)号: | CN109742115B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 张震;刘庭良 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括显示区和外围区,所述显示区设置有公共电极,所述外围区靠近所述显示区设置有电极总线;其特征在于,所述阵列基板还包括:
第一电极焊盘,设于所述外围区远离所述显示区的一侧;所述第一电极焊盘为阴极焊盘;
第一导电部,连接所述第一电极焊盘和所述公共电极;
第二电极焊盘,设于所述外围区远离所述显示区的一侧;所述第二电极焊盘为阳极焊盘;
第二导电部,连接于所述第二电极焊盘,并沿远离所述第一导电部的方向延伸至与所述电极总线连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导电部从所述第二电极焊盘向远离所述第一导电部的方向沿弯折轨迹延伸。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导电部包括依次连接的第一连接段、第二连接段和第三连接段,其中,所述第一连接段与所述第二电极焊盘连接,所述第三连接段与所述电极总线连接;
所述第二连接段从与所述第一连接段的连接位置向远离所述第一导电部的方向沿直线轨迹延伸。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一连接段从所述第二电极焊盘向远离所述第一导电部的方向沿直线轨迹延伸。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第二连接段的延伸方向平行于所述电极总线的延伸方向。
6.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第三连接段的延伸方向垂直于所述电极总线的延伸方向。
7.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,在所述第一连接段与所述第二连接段的连接位置设置有倒角。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
衬底基板;
隔离条,设于所述第二电极焊盘和所述电极总线之间;
所述第二电极焊盘、所述第二导电部、所述电极总线与所述隔离条设于所述衬底基板的同一侧,且所述隔离条覆盖至少部分所述第二导电部。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述隔离条的数量为多个且间隔设置。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~9任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的