[发明专利]一种掩膜板的制备方法、掩膜板

权利要求书

1.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，所述掩膜板包括掩膜板本体和框架，所述掩膜板本体的热膨胀系数低于所述框架的热膨胀系数，所述掩膜板的制备方法包括：

控制掩膜板本体的温度和框架的温度分别为初始温度T₁，将掩膜板本体与框架组装在一起；

调节掩膜板本体和框架分别达到最终温度T₂，其中，T₂T₁，此时框架的膨胀量大于掩膜板本体的膨胀量，从而使框架对掩膜板本体产生预定的拉伸量；

所述最终温度T₂为掩膜板本体和框架蒸镀时的温度；

其中，所述框架对掩膜板本体产生预定拉伸量的计算方法包括：

其中，T₁为掩膜板本体和框架固定时的温度；

T₂为蒸镀时掩膜板本体的温度；

L_d为掩膜板本体的设计尺寸，mm；

L₀为掩膜板本体实际尺寸L₀，mm；

CTE_f为框架的热膨胀系数，mm/mm.℃；

CTE_m为掩膜板本体的热膨胀系数，mm/mm.℃；

Ld-L0为框架对掩膜板本体产生的预定拉伸量。

2.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，所述掩膜板包括掩膜板本体和框架，所述掩膜板本体的热膨胀系数大于所述框架的热膨胀系数，所述掩膜板的制备方法包括：

控制掩膜板本体的温度和框架的温度分别为初始温度T₁，将掩膜板本体与框架组装在一起；

调节掩膜板本体和框架分别达到最终温度T₂，其中，T₂T₁，此时框架的收缩量小于掩膜板本体的收缩量，从而使框架对掩膜板本体产生预定的拉伸量；

所述最终温度T₂为掩膜板本体和框架蒸镀时的温度；

其中，所述框架对掩膜板本体产生预定拉伸量的计算方法包括：

其中，T₁为掩膜板本体和框架固定时的温度；

T₂为蒸镀时掩膜板本体的温度；

L_d为掩膜板本体的设计尺寸，mm；

L₀为掩膜板本体实际尺寸L₀，mm；

CTE_f为框架的热膨胀系数，mm/mm.℃；

CTE_m为掩膜板本体的热膨胀系数，mm/mm.℃；

Ld-L0为框架对掩膜板本体产生预定拉伸量。

3.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，所述掩膜板包括掩膜板本体和框架，所述掩膜板本体的热膨胀系数大于所述框架的热膨胀系数，所述掩膜板的制备方法包括：

控制框架的温度为最终温度T₂，掩膜板本体的温度为初始温度T₁，其中，T₂T₁，将掩膜板本体与框架组装在一起；

调节掩膜板本体和框架分别达到最终温度T₂，此时掩膜板本体收缩，而框架形状保持不变，从而使框架对掩膜板本体产生预定的拉伸量；

所述最终温度T₂为掩膜板本体和框架蒸镀时的温度；

其中，所述框架对掩膜板本体产生预定拉伸量的计算方法包括：

其中，T₁为掩膜板本体和框架固定时的温度；

T₂为蒸镀时掩膜板本体的温度；

L_d为掩膜板本体的设计尺寸，mm；

L₀为掩膜板本体实际尺寸L₀，mm；

CTE_f为框架的热膨胀系数，mm/mm.℃；

CTE_m为掩膜板本体的热膨胀系数，mm/mm.℃；

Ld-L0为框架对掩膜板本体产生预定拉伸量。

4.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，所述掩膜板包括掩膜板本体和框架，所述掩膜板本体的热膨胀系数等于所述框架的热膨胀系数，所述掩膜板的制备方法包括：

控制掩膜板本体的温度为初始温度T₁，框架的温度为最终温度T₂，其中T₁T₂，将掩膜板本体与框架组装在一起；

调节掩膜板本体和框架的温度分别达到最终温度T₂，此时掩膜板本体收缩，而框架形状保持不变，从而使框架对掩膜板本体产生预定的拉伸量；

所述最终温度T₂为掩膜板本体和框架蒸镀时的温度；

其中，所述框架对掩膜板本体产生预定拉伸量的计算方法包括：

其中，T₁为掩膜板本体和框架固定时的温度；

T₂为蒸镀时掩膜板本体的温度；

Ld为掩膜板本体的设计尺寸，mm；

L0为掩膜板本体实际尺寸L0，mm；

CTEf为框架的热膨胀系数，mm/mm.℃；

CTEm为掩膜板本体的热膨胀系数，mm/mm.℃；

Ld-L0为框架对掩膜板本体产生预定拉伸量。