[发明专利]过电流限制电路、过电流限制方法以及电源电路

说明书

公开了过电流限制电路、过电流限制方法以及电源电路。过电流限制电路进行将电源电路的输出级晶体管的输出电流设为规定的限制电流值以下的控制，具备：限制电压生成部，其生成将限制电流值设为与电源电压的电压值对应的电流值的限制电压；源极跟随器，其输入端子与输出级晶体管的栅极连接，对从输出端子输入到所述输入端子的电压进行电平偏移并进行输出；误差放大电路，其将限制电压与由源极跟随器输出的电压之差放大；以及栅极电压调整晶体管，对其栅极施加由误差放大电路输出的电压，来控制要向输出级晶体管的栅极施加的栅极电压。

技术领域

本发明涉及过电流限制电路、过电流限制方法以及电源电路。

背景技术

恒压电源电路在由于负载变动等而输出电流变化的情况下，也稳定地供给固定电压。

但是，在负载变动大而流动超过了额定值的电流的情况下，例如在接地短路的情况等下，需要防止由于由过电流产生的热所致的作为电源的输出级的晶体管的输出级晶体管的损伤。

因此，在恒压电源电路中需要以使输出的最大电流不超过被规定为额定值的上限值的方式进行限制的过电流限制电路(例如，参照专利文献1)。

如图8所示，在上述的专利文献1中，设置有如下的过电流限制电路：其在输出端子102接地短路时通过抑制输出级晶体管105的栅极电压V1的降低来限制流动到输出级晶体管105的过电流。该过电流限制电路基于输出电压Vout或反馈电压VFB来调整对流动到输出级晶体管105的过电流进行限制的限制电压V3，根据输出端子102的接地短路的阶段来抑制流动到输出级晶体管105的过电流。输出级晶体管105是p沟道型的MOS晶体管，晶体管M1至晶体管M6分别是n沟道型的MOS晶体管。

在图8中，使恒流源110的电流流过的晶体管M4与晶体管M1、M2以及M3构成电流镜像电路。如果晶体管M5处于导通状态，则电流也流动到晶体管M2，流动到电阻113的电流成为晶体管M1和M2各自的漏极电流的总和。另外，如果晶体管M5和晶体管M6处于导通状态，则电流也流动到晶体管M2和M3，流动到电阻113的电流成为晶体管M1、M2以及M3各自的漏极电流的总和。像这样，通过对晶体管M5和M6进行控制来多级地控制流动到电阻113的电流。

在输出电压Vout降低时，如果反馈电压VFB低于晶体管M6的阈值电压，则晶体管M6断开，电流不流动到晶体管M3，流动到电阻113的电流降低。另外，当输出电压Vout降低、输出电压Vout低于晶体管M5的阈值电压时，晶体管M5断开，电流不流动到晶体管M2，流动到电阻113的电流降低。当由于接地短路等而输出电压Vout接近于“0”V时，流动到电阻113的电流变成仅为晶体管M1的漏极电流，限制电压V3上升。

而且，通过使电压V2追随该限制电压V3来抑制输出级晶体管105的栅极电压V1的降低，进行输出级晶体管105的电流限制。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2009-48362号公报。

发明内容

发明要解决的问题

然而，上述的专利文献1的过电流限制电路基于输出电压Vout的降低来进行输出电流的控制，因此在电源电压VDD高的情况下，无法有效地抑制由输出级晶体管105中的电力损失所致的发热。

本发明是鉴于这样的情形而完成的发明，其目的在于提供在电源电压高的情况下也能够在由于接地短路等而大电流流动到输出级晶体管时有效地限制流动到输出级晶体管的电流并抑制输出级晶体管的发热的过电流限制电路、过电流限制方法以及电源电路。

用于解决问题的方案