[发明专利]过电流限制电路、过电流限制方法以及电源电路在审
| 申请号: | 201910007923.2 | 申请日: | 2019-01-04 |
| 公开(公告)号: | CN110120737A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
| 发明(设计)人: | 富冈勉 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;G05F1/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘书航;闫小龙 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 过电流限制电路 输出级晶体管 电源电路 限制电压 误差放大电路 过电流限制 源极跟随器 输入端子 限制电流 输出 施加 栅极电压调整 电平偏移 电源电压 输出电流 输出端子 栅极电压 栅极连接 晶体管 放大 | ||
1.一种过电流限制电路,其特征在于,
是进行将流动到电源电路的输出级晶体管的输出电流设为规定的限制电流值以下的控制的过电流限制电路,
该过电流限制电路具备:
限制电压生成部,其生成将所述限制电流值设为与电源电压的电压值对应的电流值的限制电压;
源极跟随器,其输入端子与所述输出级晶体管的栅极连接,对从输出端子输入到所述输入端子的电压进行电平偏移并进行输出;
误差放大电路,其将所述限制电压与由所述源极跟随器输出的电压之差放大;以及
栅极电压调整晶体管,对其栅极施加从所述误差放大电路输出的电压,来控制要对所述输出级晶体管的栅极施加的栅极电压。
2.根据权利要求1所述的过电流限制电路,其特征在于,
所述限制电压生成部与所述电源电压的增加对应地生成使所述限制电流值降低的所述限制电压。
3.根据权利要求1或2所述的过电流限制电路,其特征在于,
所述限制电压生成部具备:
可变电阻;
恒流电路,其使规定的电流流过所述可变电阻;以及
限制电压控制部,其对所述电源电压的电压值进行检测,生成与所述电压值对应的控制信号,
其中,根据所述控制信号来变更所述可变电阻的电阻值,基于在所述可变电阻产生的电压来输出所述限制电压。
4.根据权利要求1或2所述的过电流限制电路,其特征在于,
所述限制电压生成部具备:
电流电压转换部;
可变恒流电路,其使电流流过所述电流电压转换部;以及
限制电压控制部,其对所述电源电压的电压值进行检测,生成与所述电压值对应的控制信号,
其中,根据所述控制信号来变更所述可变恒流电路的电流值,基于在所述电流电压转换部产生的电压来输出所述限制电压。
5.一种电源电路,其特征在于,具备:
误差放大电路,其将基准电压与同输出电压对应的电压之差放大,该输出电压是根据从电源供给的电源电压生成的;
输出级晶体管,其根据被供给到栅极的所述误差放大电路的输出,来输出与所述基准电压对应的所述输出电压;以及
根据权利要求1所述的过电流限制电路。
6.一种电源电路,其特征在于,具备:
误差放大电路,其将基准电压与同输出电压对应的电压之差放大,该输出电压是根据从电源供给的电源电压生成的;
输出级晶体管,其根据被供给到栅极的所述误差放大电路的输出,来输出与所述基准电压对应的所述输出电压;以及
根据权利要求2所述的过电流限制电路。
7.一种电源电路,其特征在于,具备:
误差放大电路,其将基准电压与同输出电压对应的电压之差放大,该输出电压是根据从电源供给的电源电压生成的;
输出级晶体管,其根据被供给到栅极的所述误差放大电路的输出,来输出与所述基准电压对应的所述输出电压;以及
根据权利要求3所述的过电流限制电路。
8.一种电源电路,其特征在于,具备:
误差放大电路,其将基准电压与同输出电压对应的电压之差放大,该输出电压是根据从电源供给的电源电压生成的;
输出级晶体管,其根据被供给到栅极的所述误差放大电路的输出,来输出与所述基准电压对应的所述输出电压;以及
根据权利要求4所述的过电流限制电路。
9.一种过电流限制方法,其特征在于,
是进行将流动到电源电路的输出级晶体管的输出电流设为规定的限制电流值以下的控制的过电流限制方法,
该过电流限制方法包括以下步骤:
限制电压生成步骤,生成将所述限制电流值设为与电源电压的电压值对应的电流值的限制电压;
电平偏移步骤,输入端子与所述输出级晶体管的栅极连接的源极跟随器对输入到所述输入端子的电压进行电平偏移并从输出端子输出;
差动放大步骤,通过误差放大电路将所述限制电压与由所述源极跟随器输出的电压之差放大;以及
栅极电压调整步骤,通过对栅极施加了从所述误差放大电路输出的电压的栅极电压调整晶体管,来控制要对所述输出级晶体管的栅极施加的栅极电压。
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