[发明专利]嵌入式电容结构及其制备方法、存储装置

权利要求书

1.一种嵌入式电容结构的制备方法，其特征在于，包括：

在一衬底的一侧形成中间层；

在所述中间层远离所述衬底的一侧形成第一支承层；

形成电容孔，所述电容孔贯穿所述中间层和所述第一支承层；

形成覆盖所述电容孔的内表面的第一电极；

在所述第一支承层远离所述衬底的一侧，以预设方向对所述第一电极远离所述衬底的一端的部分区域进行离子注入，所述预设方向相对所述电容孔的延伸方向倾斜；

去除所述第一电极被注入所述离子的区域，使得所述第一电极具有开口，且所述开口暴露部分所述中间层；

去除所述中间层；

形成覆盖所述第一电极的介电层；

形成覆盖所述介电层的第二电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一支承层的厚度为60～100纳米。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一支承层的材料为氮化硅。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，电容孔垂直于其延伸方向的截面的最大尺寸为15～50纳米。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极的材料为钛、钨或者氮化钛。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，以预设方向对所述第一电极远离所述衬底的一端的部分区域进行离子注入时，所注入的离子能够使得所述第一电极被注入所述离子的部分的刻蚀速率增大；

去除所述第一电极被注入所述离子的区域包括：

通过刻蚀，去除所述第一电极被注入所述离子的区域。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，以预设方向对所述第一电极远离所述衬底的一端的部分区域进行离子注入时，所述预设方向与所述电容孔的延伸方向之间的夹角不大于30°。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，以预设方向对所述第一电极远离所述衬底的一端的部分区域进行离子注入时，所述第一电极被注入离子的区域靠近所述衬底的一端与所述第一支承层靠近所述衬底的表面之间的距离为50～100纳米。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成覆盖所述第一电极的介电层时，所述介电层覆盖所述第一电极的内表面和所述第一电极的外表面的暴露部分。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，形成覆盖所述介电层的第二电极时，所述第二电极覆盖所述介电层的表面的暴露部分。

11.一种嵌入式电容结构，其特征在于，包括：

第一支承层，设于一衬底的一侧，且具有第一支承孔；

第一电极，呈柱状且延伸方向与所述衬底所在平面垂直；所述第一电极具有设于所述衬底表面的第一端和远离所述衬底的第二端，且所述第二端配合地穿设于所述第一支承孔；所述第一电极设有电容槽，且所述电容槽的槽口设于所述第二端；所述第二端的一侧设有开口，且所述开口靠近所述衬底的一端位于所述第一支承层靠近所述衬底的表面与所述衬底之间；

介电层，覆盖所述第一电极；

第二电极，覆盖所述介电层。

12.根据权利要求11所述的嵌入式电容结构，其特征在于，所述第一支承层的材料为氮化硅。

13.根据权利要求11所述的嵌入式电容结构，其特征在于，所述第一支承层的厚度为60～100纳米。

14.根据权利要求11所述的嵌入式电容结构，其特征在于，所述第一电极的长度为800～1500纳米。

15.根据权利要求11所述的嵌入式电容结构，其特征在于，所述第一电极垂直于其延伸方向的截面的最大尺寸为15～50纳米。