[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

刻蚀所述基底形成第一图形，所述第一图形具有第一关键尺寸；

在所述第一图形内形成第一填充层，所述第一填充层表面低于所述基底表面，填充所述第一图形下部；

形成覆盖所述第一填充层上方的第一图形侧壁的调整层，调整层之间形成第二图形，所述第二图形底部暴露出部分第一填充层，所述第二图形具有第二关键尺寸，所述第二关键尺寸小于第一关键尺寸；

在所述第二图形内填充第二填充层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括：衬底；形成在衬底上的堆叠层和贯穿堆叠层的沟道柱结构；形成在堆叠层表面的介电层；所述第一图形贯穿所述介电层，暴露出沟道柱结构表面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形与所述沟道柱结构具有相同的第一关键尺寸。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沟道柱结构包括：贯穿堆叠层至衬底的沟道孔，位于沟道孔底部衬底表面的半导体外延层，覆盖沟道孔侧壁的功能侧墙，覆盖所述功能侧墙以及半导体外延层的沟道层以及填充沟道孔的沟道介质层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述调整层还覆盖介电层上表面。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一填充层和第二填充层为导电材料。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形和第二图形均为孔状图形。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述调整层的形成方法包括：形成覆盖所述第一填充层表面、第一图形侧壁表面以及基底表面的调整材料层；沿垂直所述基底表面的方向，刻蚀所述调整材料层，形成所述调整层以及暴露第一填充层部分表面的第二图形。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述调整材料层。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一填充层的形成方法包括：在所述第一图形以及基底表面沉积第一材料层，所述第一材料层填充满所述第一图形；对所述第一材料层进行平坦化，去除位于基底上方的第一材料层；对第一图形内的第一材料层进行回刻蚀，形成第一填充层。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述调整层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氧化铪以及氧化锆中的至少一种。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底内的第一图形，所述第一图形具有第一关键尺寸；

填充于所述第一图形下部的第一填充层，所述第一填充层表面低于所述基底表面；

覆盖所述第一填充层上方的第一图形侧壁的调整层，调整层之间具有第二图形，所述第二图形具有第二关键尺寸，所述第二关键尺寸小于第一关键尺寸；

填充于所述第二图形内第二填充层，所述的第二填充层连接所述第一填充层。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括：衬底；形成在衬底上的堆叠层和贯穿堆叠层的沟道柱结构；形成在堆叠层表面的介电层；所述第一图形贯穿所述介电层，暴露出沟道柱结构表面。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一图形与沟道柱结构具有相同的第一关键尺寸。